IBM、NECエレ、東芝、民生機器向け28nm半導体プロセス技術の共同開発に合意

　米IBM、NECエレクトロニクス、東芝の3社は6月18日、民生機器向け28nm半導体プロセス技術を共同開発することで合意したと発表した。低消費電力で処理速度の速いプロセッサを開発する。

　NECエレクトロニクスと東芝は、IBMのテクノロジーアライアンスに参加し、高誘電率膜（hign-k）メタルゲートを採用した低消費電力のバルクCMOSプロセス技術を共同開発する。開発は米国ニューヨーク州イースト・フィッシュキルにあるIBMの施設で行われる。

　IBMのテクノロジーアライアンスはhign-kメタルゲートを採用した32nmプロセスを共同開発しており、採用顧客はこれを使って製品設計をした後、28nmプロセスに移行できるとのことだ。

　なお、東芝は2007年12月から、NECエレクトロニクスは2008年9月からIBMのバルク半導体プロセス開発アライアンスに参加している。また、IBMのテクノロジーアライアンスには、Charterd Semiconductor Manufacturing、GLOBALFOUNDRIES、Infineon Technologies、NECエレクトロニクス、サムスン電子、STMicroelectronics、東芝が参加している。