サムスン、eUFS 3.0規格採用のスマホ向け512Gバイトフラッシュメモリの量産を開始

　サムスンは現地時間2月27日、512Gバイトのモバイル向けフラッシュメモリの量産を開始したと発表した。同社が2019年1月のCESで発表した1テラバイトのモジュールと比べて読み込み速度は2倍以上、書き込み速度は1.5倍以上だという。

提供：Samsung

　このV-NANDメモリは、同社のembedded Universal Flash Storage（eUFS）3.0規格に基づいている。前出の1テラバイト版は、eUFS 2.1だった。サムスンによると、この512Gバイトのフラッシュメモリは、シーケンシャル読み込み速度が毎秒最大2100Mバイト、シーケンシャル書き込み速度は毎秒410Mバイトにものぼるという。前出の1テラバイト版は、シーケンシャル読み込み速度が毎秒1000Mバイト、シーケンシャル書き込み速度は毎秒260Mバイトだった。eUFS 3.0を採用した1テラバイト版は、2019年下半期に生産する予定だ。

　タイミングから考えて、まもなく出荷開始の「Galaxy S10」にこの高速フラッシュメモリが搭載される可能性は低いが、4月末出荷予定の「Galaxy Fold」のストレージ容量は512Gバイトとのことなので、このモジュールが採用される可能性もある。