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日立、直接変調方式のGaInNAs半導体レーザーで40Gbps動作を確認

ニューズフロント2006年08月24日 18時36分
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 日立製作所は8月24日、40Gbpsで作動するガリウム/インジウム/窒素/砒素(GaInNAs)半導体レーザーの試作に成功したと発表した。外部変調器を用いない直接変調方式であるにもかかわらず、長波長帯(1.29ミクロン)で40Gbps動作を実現できた。しきい値電流は4.4mAだった。

 現在40Gbps動作のレーザー送信器は外部変調用の光変調器が必要であるため、部品点数が多く、低消費電力化や小型化に限界があったという。また、光変調器なしで高速作動する特性を持つGaInNAs素子は、高品質な結晶の作製が難しく、これまで10Gbps動作しか実現されていなかった。

 日立は、GaInNAsの結晶特性に悪影響となるアルミニウム(Al)材料を使わないAlフリー分子線エピタキシー技術を開発し、GaInNAsに適した新しい結晶成長技術を確立した。さらに、発光の高効率化が可能な逆メサ型リッジ構造を採用し、GaInNAsレーザー素子を試作。これにより、光通信に用いられる長波長帯において、4.4mAという低いしきい電流で室温連続発振を可能とし、高速な40Gbps動作を確認した。

 なお、日立は、8月29日から9月1日に滋賀県草津市で開催される第67回応用物理学会学術講演会、9月3日から8日に東京都新宿区で開催される分子線エピタキシー国際会議(International Conference on Molecular Beam Epitaxy 2006)、9月24日から28日フランスのカンヌで開催される欧州光通信国際会議(European Conference on Optical Communication 2006)で、このレーザー技術について発表する。

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