韓国のサムスンは現地時間7月17日、モバイルデバイス向けの新たなメモリチップを発表した。50%の高速化と30%のバッテリ持続時間向上をうたっている。
サムスンによると、このチップは世界初の10ナノメートル製造プロセスによる8GビットのLPDDR5 DRAMで、データレートは最大6400Mbps。これは現行の主力モバイルデバイスで採用されているモバイル向けLPDDR4X DRAMの1.5倍高速だという。サムスンはプレスリリースの中で、このチップは人工知能(AI)を応用したモバイルアプリをサポートするほか、「世界中のモバイルデバイス向けにUHD(超高精細)に対応する」と述べた。
加えて、新チップは「ディープスリープモード」を提供する。これは、電力消費を現行のDRAMにおける「アイドルモード」の約半分に減らすものだ。
サムスンは「試作品の機能のテストと検証」を完了しており、韓国の平沢(ピョンテク)市にある工場で量産を開始する計画だ。米CNETは、このチップが新型スマートフォンや他のデバイスに搭載されることが見込まれる時期についてサムスンの広報担当者に問い合わせたが、現時点で回答は得られていない。
この記事は海外CBS Interactive発の記事を朝日インタラクティブが日本向けに編集したものです。
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