東芝、論理アドレスアクセス方式採用のNAND型フラッシュメモリを開発

　東芝は8月2日、携帯オーディオプレーヤー、パーソナルメディアプレーヤー、携帯電話などのデジタルコンシューマ機器向けに、論理アドレスアクセス方式を採用したNAND型フラッシュメモリ「LBA-NAND」を開発し、8月からサンプル出荷を開始すると発表した。

　LBA-NANDは、NAND型フラッシュメモリインタフェースを搭載し、論理アドレスアクセス方式を可能にしたNAND型フラッシュメモリの新製品だ。

　現在幅広く採用されている物理アドレスアクセス方式のNAND型フラッシュメモリでは、世代交代などにより仕様が変わると、その度に機器側のホストコントローラの仕様やドライバソフトウェアを変更する必要が生じるという問題があった。

　今回の新製品では、論理アドレスアクセス方式の採用により、NAND型フラッシュメモリの仕様の相違を機器側のホストコントローラで管理する負担を軽減するとともに、ブロック管理、ECC処理、ウェアレベリング等の処理をLBA-NANDが行うようにした。これにより、機器側のホストコントローラやドライバソフトウェアの開発負荷の軽減および開発期間の短縮が可能になるとしている。

　構成メモリは2ギガバイト、4ギガバイト、8ギガバイトの3種類で、量産規模はトータルで月産100万個となっている。