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CNTトランジスタ、シリコンを上回る性能--IBMが明らかに

Martin LaMonica (CNET News) 翻訳校正: 川村インターナショナル2012年01月31日 12時59分
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 IBMの研究者は、1月発行のNano Lettersに掲載した研究論文で、10ナノメートルよりも小さいカーボンナノチューブを用いたトランジスタの性能がシリコンを上回ることを突き止めたと発表した。このようなトランジスタは非常に低い電圧で動作するため、低消費電力で動作するプロセッサの実現が見込まれるという。

カーボンナノチューブトランジスタの構成図
カーボンナノチューブトランジスタの構成図
提供:IBM

 研究者が行った実験は、カーボンナノチューブトランジスタの理論的な特性を調べるためのもので、新しい製造プロセスを開発するためのものではないが、この発見は、より小さいトランジスタでより大きな計算能力を得ようとする進行中の研究にとって重要なものになるかもしれない。

 カーボンナノチューブは、互いに連結した炭素原子で作られた中空の円筒形構造で、何年もの間、半導体素材としての可能性が唱えられてきた。

この記事は海外CBS Interactive発の記事を朝日インタラクティブが日本向けに編集したものです。

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