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インテルとマイクロン、高密度フラッシュメモリ技術を開発--1セル当たり3ビット

文:Brooke Crothers(CNET News) 翻訳校正:緒方亮、高森郁哉2009年08月12日 11時08分
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 IntelとMicron Technologyは米国時間8月11日、フラッシュメモリカードやUSBメモリドライブ向けに高データ密度のフラッシュメモリ技術を開発したと発表した。

 これに関して、Intelは8月10日、同社の新しい34ナノメートル(nm)製造プロセスによるソリッドステートドライブ(SSD)「X25-M」のファームウェアを修正したと発表した。X25-Mには、今回の新技術と類似したフラッシュメモリ技術が使われている。問題のバグはBIOSドライブパスワードを設定した場合に影響があった。

 フラッシュメモリチップの製造で提携しているIntelとMicronは8月11日、34nmの技術をベースに、1セル当たり3ビットの容量を持つNANDフラッシュメモリ技術を開発したことを明らかにした。Micronによると、これは標準的な1セル当たり2ビットを上回るデータ密度を可能にし、USBフラッシュドライブの大容量化を実現するという。

 MicronのNANDマーケティング責任者Kevin Kilbuck氏によると、1セル当たりのビット数を増やすことにより、データ密度は高まる一方、標準的な技術を使ったフラッシュメモリより信頼性が低下するという。このため、1セル当たり3ビットのチップは、当面フラッシュメモリドライブに限定される。フラッシュドライブは、ノートPCやサーバのメインストレージとして使用されるSSDほど、データ保存の信頼性を要件としていない。

 半導体リサーチ会社であるObjective AnalysisのJim Handy氏は、8月11日に公開したこの技術の研究ノートの中で、「すべての市場向けのチップではない」と記している。「両社は、書き込みの多いSSD環境に適したチップとして位置づけることに自信を持つまで、生量産で経験を積む必要があると説明した」とHandy氏は述べた。同氏は、たとえばデジタルカメラ用にフラッシュドライブを購入する消費者と比較した場合、SSDのユーザーはデータ記録の頻度がはるかに高いという事実を引き合いに出した。

 ただし同氏は、IntelとMicronによるチップが2010年までに「サムスン、HynixとNumonyxなど、同市場の他のメーカーにとって思わぬ障害となり」、収益性でライバルを上回る可能性があると予想している、と付け加えた。

 Micronは現在、このチップのサンプル出荷を行っており、2009年第4四半期に量産に入る予定だ。

 SanDiskと東芝は2009年2月、1セル当たり4ビットの技術を開発したと発表している。両社は、業界で最高密度のフラッシュメモリ技術だと述べていた。

この記事は海外CBS Interactive発の記事をシーネットネットワークスジャパン編集部が日本向けに編集したものです。原文へ

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