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産総研、SiCパワー半導体研究にシルバコのTCADを採用

JCN 2015年08月25日 09時00分
From JCN Newswire


Yokohama, Japan, Aug 25, 2015 - ( JCN Newswire ) - 株式会社シルバコ・ジャパン(以下シルバコ)は、国立研究開発法人 産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター(所在地:茨城県つくば市、以下産総研)が、SiCパワー半導体の研究にシルバコのTCADツールを採用したことを発表しました。

産総研は、旧通商産業省工業技術院時代の1970年代後半に、SiCやGaNといったワイドギャップ半導体の材料研究を開始し、1990年代後半からこれらの新規半導体の基盤技術確立を目的とした国家プロジェクトで主導的役割を担ってきました。
世界全体のエネルギー消費とその電力化率は、今後ますます上昇すると予測されており、地球温暖化対策としての低炭素社会の実現に向けた取り組みは重要です。電力エネルギーにおける省エネルギー技術と新エネルギーの技術導入のための高効率電力変換技術等、SiCやGaN等のワイドギャップ半導体によるパワーデバイスおよび電力変換技術の確立を目指します。

先進パワーエレクトロニクス研究センターの副研究センター長の坂本邦博氏は、次のように述べています。「SiCやGaNなどのワイドギャップ半導体の研究にシミュレーションは不可欠です。素子構造や材料の種類、および不純物注入におけるドーピング等のパラメータを振って計算することにより、試作前に素子の特性を見積ることができ、TATの短縮と試作回数の削減が可能となります。シルバコのTCADの活用で研究がますます加速することを期待しています。」

シルバコのジェネラルマネージャである古井芳春は、次のように述べています。「産業技術総合研究所にシルバコのTCADが採用されたことを大変うれしく思っています。化合物半導体のシミュレーションは、シルバコが長年にわたり開発を重ねてきた分野です。高品質メッシュとMPI並列計算ソルバにより、3次元シミュレーションを高速に実行可能です。パワーエレクトロニクス分野への注目とともにシルバコのTCADは収束性と精度にお客様の支持を得ています。今後もお客様の技術革新に貢献できるよう、製品の向上に努めてまいります。」

概要:株式会社シルバコ・ジャパン

株式会社シルバコ・ジャパンは、1989年に現在のSilvaco, Inc.の日本支社として設立、1995年に日本法人として登記されました。シルバコ・ジャパンは、日本のTCADおよびEDAソフトウェア業界におけるトップ・カンパニーを目指し、技術サポートと営業の強化、研究開発環境の拡充に全力をあげています。事業拠点を横浜本社および京都オフィスに構え、充実したサービスを展開しています。
www.silvaco.co.jp

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press@silvaco.co.jp

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