Advanced Micro Devicesは2日、同社の研究グループが新Fully Depleted Silicon-on-Insulator（SOI）トランジスタを開発し、デモを行なったと発表した。現行設計のトランジスタよりも、最大30％高速化されるという。
同社はまた、メタルゲート設計に基づく新たなストレインド・シリコン・トランジスタも披露し、従来のストレインド・シリコン・トランジスタに比べ、性能が20〜25％向上したと述べた。両トランジスタともまだ研究・テスト段階で、チップに組み込める状態までには少なくともあと2年はかかると見られる。
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