SEMATECHとExogenesisが加速中性原子ビーム技術の商業化で戦略提携

Exogenesis Corp. 2015年05月07日 15時05分
From 共同通信PRワイヤー

SEMATECHとExogenesisが加速中性原子ビーム技術の商業化で戦略提携

AsiaNet 60380(0590)

【ビルリカ(米マサチューセッツ州)2015年5月5日PRN=共同通信JBN】SEMATECHとExogenesis Corp. は、ExogenesisのAccelerated Neutral Atom Beam(ANAB、加速中性原子ビーム)技術と、両社のAccel(TM)加速粒子ビーム装置の商業化に向けた戦略提携で合意した。SEMATECH最高経営責任者(CEO)兼社長のロン・ゴールドブラット博士は「半導体業界は原子スケールの処理の時代に入った。開発中のANABの応用は、より管理された効率の良い製造を可能にし、半導体装置に新しい機能を創造する」と述べた。

SEMATECHとExogenesis Corp. は、半導体産業市場にANAB技術を投入する新会社を立ち上げる。両社は初期段階で集積回路(IC)製造面に力を入れ、その他のナノエレクトロニクス分野でANABを応用する可能性を探るが、これが別会社の設立につながる可能性もある。

ANABは深さ数ナノメートルという原子スケールで試料の表面を改質、コントロールする独自の特許技術である。ExogenesisのCEO兼社長、リチャード・セブルガ氏は「ANABのような性能結果をもたらす技術はほかにはない」と語る。化学的改質や試料除去、材料堆積、表面平滑化、表面モルホロジー管理のすべてが、ANABデバイスで可能になったという。

ANABは、薬理およびバイオインテグレーション特性を正確にコントロールし、これまで以上に安全で、有効な埋め込み型医療機の開発を実現するために使用されている。ガラス、金属、有機体、半導体、ポリマーなどさまざまな試料の表面加工でも、利点が示されている。

SEMATECHの企業開発担当ディレクター、エド・バース博士は「SEMATECHとExogenesisは2013年以来、半導体産業で極端紫外線リソグラフィー(EUVL)の普及を促進するSEMATECHのプログラムで協力してきた。両社は、EUVペリクルの性能を飛躍的に高めたシリコン被膜の透明性を向上させるANAB技術の有用性を実証し、公表した。両社が明らかにした成果としてはほかに、ANAB処理によってEUVマスク回路基板の平滑化を高め、これまでの方式より高い品質を確保し、それから作成するマスクブランクの光学的機能を向上させたことが挙げられる。この成果は2014年に発表した。

今回の開発作業はExogenesisの設備ほか、ニューヨーク州オールバニにあるニューヨーク州立ポリテクニック・インスティテュートのナノスケール理工学カレッジ(SUNYPoly CNSE)のNanoTech Complexでも行われる。このため今回の戦略提携は、SUNY PolyCNSEの最新鋭のリソースとNanoTech Complexの国際的に評価が高い能力を活用し、最新のナノエレクトロニクスの品質、信頼性、性能を高めるイノベーションを迅速に市場に送り込めることである。

▽SEMATECHについて
ニューヨーク州オールバニに本部があるSEMATECHは、最新の半導体装置、機器、素材メーカーの国際的コンソーシアムで、SEMATEHのメンバーやパートナーを重要な産業の進歩に対応させ、技術的なコンセンサスを促し、研究を業界の主流に持ち込み、生産効率を高め、リスクと時間を軽減する。SEMATEHはニューヨーク州立ポリテクニック・インスティテュートと提携し、世界クラスの能力、高い技術、立証済みの連携型研究開発(R&D)の実証済みモデルをナノエレクトロニクス、クリーンエネルギー、最新鋭素材などさまざまな分野にもたらしている。SEMATECHについての情報はリンク を参照。

▽Exogenesisについて
米マサチューセッツ州ビルリカに本拠を置くExogenesisは、非上場ベンチャーキャピタルの支援を受け、コーティングなしで素材の表面を改質し、コントロールする加速粒子ビーム処理技術を開発した。特許権を持つ同社のAccelerated Neutral Atom Beam(ANAB)とGas Cluster Ion Beam(GCIB)の技術は表面改質や、生物医学、光学、半導体物質などさまざまな素材のコントロールに利用されている。Exogenesisの情報はwww.exogenesis.usを参照:

ソース:Exogenesis Corp.

▽問い合わせ先
Richard Svrluga
rsvrluga@exogenesis.us
+1 978-439-0120

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