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45nmシステムLSI開発へ、NECエレがソニー・東芝陣営に参加

永井美智子(編集部)2006年02月01日 15時37分
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 NECエレクトロニクス、ソニー、東芝の3社は2月1日、45nm世代のシステムLSI開発に向け、プロセス技術を共同開発すると発表した。すでにソニーと東芝は45nmプロセスで協力関係にあり、ここにNECエレが参加した形だ。

 システムLSIのプロセスは現在90〜130nmが主流で、45nmプロセスの実用化は2007年頃といわれている。一般的に、微細化が進むほど半導体の面積は小さくなり、消費電力が低減できる。また、1枚のウエハから取れるチップの量が増えるため、コスト効率が高まる。

 その一方で、微細化するほど本来流れるはずのないところに電流が流れてしまう「リーク電流」が発生するなどの問題があり、技術的な難易度は高くなる。このため、最先端LSIのプロセス開発には多額の投資が必要となり、複数の企業が共同で開発するようになってきている。

 ソニーと東芝は2004年2月から45nmプロセス技術を共同で開発しており、またNECエレクトロニクスと東芝は2005年11月に、45nmプロセス技術の共同開発に合意していた(関連記事)。

 今後、NECエレ、ソニー、東芝の3社は開発リソースを東芝アドバンストマイクロエレクトロニクスセンターに集結させ、開発効率の向上と開発スピードの加速を図る。

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