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ルネサステクノロジ、書き込み速度10Mバイト／秒、容量1GバイトのCFメモリを製品化

ニューズフロント2003年10月20日 15時51分

　ルネサステクノロジは10月20日、書き込み速度10Mバイト／秒に対応する容量1GバイトのコンパクトフラッシュType Iメモリ、HB28J1000CCCの製品化を発表した。サンプル出荷を10月30日より始める。サンプル品の価格はオープンとする。

　同メモリは、容量1GビットのAG-AND型多値フラッシュメモリを8個搭載する。複数のモジュールに対して同時に書き込み処理を行うことで、高速書き込みを実現したという。「当社の従来品（容量512Mバイト）に比べ、書き込み速度を5倍に、容量を2倍に高めた」（同社）。インターフェースはCompactFlash仕様Version2.0に対応する。

　また同社は、HB28J1000CCCと同じAG-AND型フラッシュメモリを32個搭載することで容量を4GバイトとしたPC-ATAカードType IIメモリ、HB28J4000ACHの開発も進めている。サンプル出荷は2004年春の予定。書き込み速度はHB28J1000CCCと同じく10Mバイト／秒。