サムスン電子、40nmプロセスの32GビットNAND型フラッシュメモリを発表

　サムスン電子は米国時間9月11日、新型のNANDフラッシュメモリチップを発表した。これは、より高度なメモリカードの実現を可能とするもので、デジタルカメラ、MP3プレーヤー、USBドライブ、スマートフォンにおいてさらに大容量のストレージを求める消費者にとってはうれしいニュースである。

　今日の消費者は、小型化が進む製品に対してますます多くの機能が搭載されるようになることを求めるようになっている。その成功の鍵を握るのは様々な種類のデバイスに使用されるデータストレージ手法であるNANDフラッシュメモリの進歩である。

　サムスン電子によると、新しい小型の32GビットNANDフラッシュチップは、初めて回路線幅40ナノメートルの加工技術で製造されたNANDフラッシュメモリチップであるという。この小型チップを搭載した64Gバイトのカードは、DVD品質の映画を40作品、または通常のサイズのMP3楽曲を1万6000曲を保持することができる（現在ほとんどのデータストレージカードの容量は1Gバイト〜4Gバイトである）。サムスン電子による新技術は、メガピクセル単位のデジタル写真を保存したり、ますます増大していく写真のファイルサイズに対応したりするうえで役に立つ。

　サムスン電子の半導体部門の社長であるChang Gyu Hwang氏が、9月11日韓国ソウルでの記者会見で明らかにしたところによると、新チップには「Charge Trap Flash（CTF）」と呼ばれる新技術が搭載されており、これは今後回路素子をさらに微細化し、製造プロセスを効率化することを可能にするという。サムスン電子によると、この新しい構造により、プロセスは20ナノメートルにまで微細化でき、ポータブルデジタル機器のメモリサイズをさらに増加させることができるという。ただし、こうした技術を利用した製品の発売時期は未定であるという。

　メモリチップ市場で主導的な立場を誇る同社のこの最新技術は、Hwang氏が2002年に最初に発表した、メモリ集積度は12カ月ごとに倍増するという「メモリー新成長理論」に従っている。サムスン電子は2005年、16GビットNANDフラッシュチップを発表した。

　2006年6月には、サムスン電子は韓国内のみで、32GビットNANDフラッシュメモリを搭載した同社初のノートPC「Sens Q3」および「Sens Q1」を発売している。