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1200V耐圧SiC-MOSFETモジュールの量産を開始

株式会社三社電機製作所 2019年04月23日 12時40分
From PR TIMES

高信頼性と低損失を実現

 株式会社三社電機製作所(本社:大阪市)はこのほど、1200V耐圧(電流容量150A)2素子入りSiC-MOSFETモジュールの量産を4月より開始いたします。



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【発売の狙い】
 パワートランジスタなどのパワーデバイスは、車載や産業用分野において、さまざまな用途で使用されています。SiC(シリコンカーバイド)パワーデバイスは、従来のSi(シリコン)を超える低損失、高速動作が可能なため、大電流、高電圧用途での省エネルギー化のキーデバイスとして注目されています。当社のSiC-MOSFETモジュールは、独自のTechno Blockパッケージ技術※1により、長期信頼性の向上と低損失化、小型化を実現しています。
 本製品はパナソニック株式会社との共同開発により商品化されたものです。

【製品の概要】

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【新製品の特長】


長期信頼性※2の向上と小型化を実現する、当社独自のTechno Blockパッケージ技術
高速なスイッチングが可能な、インダクタンスを約1/2(当社従来比)に低減した内部構造
理想的なスイッチングを実現するために、不要なインダクタンスを低減できる回生ダイオード機能を内蔵した、パナソニック株式会社独自のSiC-MOSFETチップ(DioMOS(Diode integrated MOSFET))を搭載
SiC-MOSの弱点といわれる短絡破壊に対し、装置の安全設計を実現する、業界トップクラスの短絡耐量
実使用時の高効率化を実現する、チップが高温時(150℃)でも変化の少ないオン抵抗特性
高周波駆動時のノイズに対し、誤動作に強い閾値の高いゲート特性(閾値電圧4.0V(Typ.))



※1はんだ接合で金属とチップを挟み込む構造に、トランスファーモールド工法を組み合わせたパッケージ技術。
接続するためにワイヤボンディング技術を使用しないことで、長期信頼性の向上と小型化を実現
※2パワーサイクル耐量 当社従来比約3倍(従来パッケージとTechno Block技術採用パッケージ比)

【主な用途】
・産業用インバータ
・DC-DCコンバータ
・EV充電器
・高出力共振電源

【環境への配慮】
 本製品はRoHS※指令(2011/65/EUおよび(EU)2015/863)に準拠しています。
 ※ Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment.

【今後の展望】
 当社が得意とするトランスファーモールド工法パッケージと、SiC搭載製品のラインナップを拡充することで、各種電源装置の高信頼性・高効率化、および小型・低コスト化に貢献してまいります。

【三社電機製作所について】
 1933年に開発した映写機用電源以来長きにわたり、「パワー半導体」と「電源機器」メーカーとして事業を展開。経営理念として掲げる「常に社会の求める製品の創造につとめ、よりよい品質によって社会の発展に貢献する」のもと、研究・開発を行い、高性能、高品質な製品の創造に努めております。さらに詳しい情報はウェブサイト( リンク )をご覧ください。

【お客様からのお問い合わせ先】
株式会社三社電機製作所 営業本部 半導体営業部
〒 533-0031 大阪府大阪市東淀川区西淡路3-1-56
TEL: 06-6325-0500(平日9時~17時)
FAX: 06-6321-0355
Mail: sales@sansha.co.jp

※本プレスリリースに記載されている内容は発表時点の情報です。予告なしに内容が変更となる場合もあります。あらかじめご了承ください。

プレスリリース提供:PR TIMES リンク

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