GLOBALFOUNDRIESの22FDX(R)を採用し、FD-SOI技術プラットフォームにおけるリーダーシップを強化

GFのFDX技術により、STが次世代のコンスーマ・産業機器向け製品の高性能化・低消費電力化を実現

*2018年1月9日にサンタクララ（米国）およびジュネーブ（スイス）で発表されたプレスリリースの抄訳です。

GLOBALFOUNDRIES（以下GF）とSTマイクロエレクトロニクス（NYSE： STM、以下ST）は、STが産業・コンスーマ機器向け次世代プロセッサ・ソリューションの実現に向け、GFの22nm FD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ）技術プラットフォームである22FDX(R)を採用したことを発表しました。

28nm FD-SOI技術プラットフォームを業界で初めて導入したSTは、GFが量産している22FDXプロセスとその開発エコシステムを採用することで同社の取り組みとロードマップを拡大させ、次世代の高性能システム向けに第2世代のFD-SOIソリューションを実現します。

STのデジタル・フロントエンド製造技術担当 エグゼクティブ・バイスプレジデントであるJoel Hartmannは、次のようにコメントしています。「FD-SOIは、低消費電力で高い処理能力と通信性能が要求され、かつコストが重視される用途に最適です。コスト効率に優れた性能とクラス最高のエネルギー効率という利点を兼ね備えたGFの22FDXプラットフォームに、STが持つFD-SOIの幅広い設計経験とIPを組み合わせることで、消費電力、性能、コストを大幅に向上させることができます。この技術を使用した製品は、GFのドレスデン工場で製造される予定です。」

GFの製品管理担当シニア・バイスプレジデントであるAlain Mutricyは、次のようにコメントしています。「STは、FD-SOI技術において確固たる実績を築いてきました。新しい技術と製品を開拓してきたSTの長い歴史に、GFの22FDXプラットフォームが加わることで、両社は22nmノードのFD-SOIにより差別化された製品を実現できます。」

FinFETを補完する技術であるGFの多様なFDXプラットフォームは、デジタル、アナログ、およびRF機能を1チップに集積できるため、顧客はあらゆる要素を統合したインテリジェントなシステム・ソリューションを設計できます。この技術は、必要な性能とエネルギー効率を最小限のコストで実現しなければならないICに特に適しており、インテリジェントな端末やワイヤレス機器から、人工知能、スマート・カーまで、幅広い用途に理想的です。

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