アナログ・デバイセズ、新しいRF MEMSスイッチ技術を実用化した ADGM1304、ADGM1004を発表

このプレスリリースは、2016年11月8日(現地時間)に米国で発表されたプレスリリースの抄訳です。原文は、以下のURLでご覧になれます。
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アナログ・デバイセズ社（NASDAQ：ADI）は本日、100年以上に渡りエレクトロニクス業界で採用され続け、長くその革新が待たれてきたメカニカルリレーの置換を可能とする画期的なスイッチ技術を発表しました。今回開発した新しいRF MEMSスイッチ技術は、メカニカルリレーによる性能上の様々な制約を解決し、より高速、小型で高信頼、低消費電力の計測機器を開発できるようになります。システム・メーカーは、この技術に基づいて実用化された新製品ADGM1304/ADGM1004を使用して、ATE（自動試験装置）やその他の測定機器の精度と多用性を大幅に向上させ、顧客の試験コストや消費電力の削減、および開発期間の短縮に貢献できます。本RF MEMSスイッチシリーズには今後、航空宇宙、防衛、ヘルスケア、通信インフラ機器等に搭載されてきたリレーに代わる製品が追加される予定です。これらの業界におけるシステム・メーカーも、同様のサイズ縮小と消費電力/コスト削減のメリットを顧客に還元できるようになります。

新シリーズの最初の製品であるADGM1304およびADGM1004 RF MEMSスイッチは、従来のメカニカルリレーに比べて95%小さく、30倍高速で、信頼性が10倍高く、消費電力は10分の1になっています。

最適なアプリケーション
メカニカルリレーの置換
ATE（自動試験装置）：RF/デジタル/ミックスド・シグナル
ベンチテスト装置：RF/デジタル/ミックスド・シグナル
RF測定器
リコンフィギュラブル・フィルタ/アッテネータ
高性能RFスイッチ

ADGM1304の主な特長
・0Hz（DC）～動作可能
・動作寿命：10億サイクル（最低値）
・-3dB帯域幅
：RF1,RF4用11GHz（typ）
　RF2,RF3用14GHz（typ）
・挿入損失：0.26 dB（typ）＠2.5GHz
・オン抵抗：1.6Ω（typ）
・電源電圧：3.1～3.3V

MEMSスイッチ技術により、0 Hz（DC）の広帯域RF性能を実現
ソリッドステートリレーなど他の代替機器と異なり、ADGM1304およびADGM1004 MEMSスイッチは、0 Hz（DC）～14 GHzで優れた精度とRF性能を実現します。MEMSスイッチソリューションは、動作性能を最大化するため2つのダイで構成されています。一方は密閉されたシリコンキャップ内の静電駆動スイッチ、他方は低電圧/低電流のドライバICです。スイッチング素子には、高度に調整され、信頼性の極めて高い金属接触が含まれ、ドライバICにより生成される静電気力で動作します。こうした同一パッケージのソリューションにより、業界最高水準のDC精度とRF性能が保証され、極めて扱いやすいスイッチとなっています。

スイッチの画期的進化がATEの動作寿命を伸ばし、チャネル密度を向上
信頼性の高いADGM1304およびADGM1004は、メカニカルリレーと比べるとコールドスイッチングの耐用年数を10倍も伸ばし、ATEシステムの動作寿命を延長して、リレーの故障に起因する高コストなダウンタイムを減らします。さらに、ADGM1304およびADGM1004 MEMSスイッチのパッケージは極めて薄いため、設計時にATEのテストボードの両側にデバイスを表面実装できます。これにより、機器のフットプリントを拡大することなく、コストを削減しつつ、チャネル密度を向上できます。内蔵チャージポンプによって外付けのドライバが不要になることから、ATEシステムのサイズをさらに縮小でき、マルチプレクサ設定によってファンアウト構造をDPDTリレー設計よりも簡略化できます。

価格と提供時期
下記表中の価格は米国での価格です。

製品：ADGM1304
サンプル出荷：出荷中
量産出荷：出荷中
1,000個受注時の単価：36.58ドル
パッケージ：24 ピン 5mm × 4mm × 0.95mm LFCSP

製品：ADGM1004
サンプル出荷：出荷中
量産出荷：2017年2月
1,000個受注時の単価：39.34ドル
パッケージ：24 ピン 5mm x 4mm x 1.45mm LFCSP

【関連資料】
・ADIのMEMSスイッチ技術についてはこちらをご覧ください。 リンク
・ADGM1304、ADGM1004 MEMSスイッチの製品概要、データシートのダウンロード、サンプル、評価用ボード等の詳細
ADGM1304:リンク
ADGM1004:リンク