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業界最小パッケージの耐圧600VのエンハンスメントモードGaNパワートランジスタを製品化

パナソニック 2015年05月18日 14時00分
From PR TIMES

高速スイッチング実現で、機器の省スペース化、省エネ化に貢献



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パナソニック株式会社は、耐圧600Vのエンハンスメントモードの窒化ガリウム(GaN)パワーチップを表面実装型パッケージDFN(dual-flat no-leads) 8x8に組み込んだ業界最小(※1)のGaNパワートランジスタ(X-GaN (TM))を製品化しました。本製品は200V/nsの高速スイッチングを実現し、産業用・民生用の各種電力機器における省スペース化、さらに、低オン抵抗(54~154mΩ)による省エネルギー化が可能となります。2015年7月より耐圧600V、定格電流10A(PGA26E19BV)、15A (PGA26E08BV)のサンプルを出荷開始します。

<製品情報>
▼パナソニックのGaNパワーデバイスについて
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GaNパワートランジスタは機器の電源を制御する半導体で、次世代化合物半導体のひとつとして注目されています。パナソニック従来開発品のTO220パッケージを用いたGaNパワートランジスタは、パッケージの高放熱特性を活かした高出力の用途に向いていましたが、サイズが大きいことが課題でした。本製品では、8 x 8 x 1.25mmの小さなサイズで高電力密度のスイッチングを実現。さらに寄生インダクタンスが小さいため、高速スイッチング特性を引き出すことができます。

本製品は、2015年5月19日~21日にドイツ ニュルンベルクで開催されるパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM (Power Conversion Intelligent Motion) Europe 2015」に出展します。

【製品の特長】
1. GaNパワートランジスタ用に最適化した新開発の業界最小GaN表面実装型パッケージDFN 8x8(8 x 8 x 1.25mm)パナソニック従来品TO220(15 x 9.9 x 4.6mm)比:実装面積 43%
2. 表面実装型パッケージの採用により寄生インダクタンスを低減し、200V/nsの高速スイッチングを実現
3. 6インチSi基板上に実現したパナソニック独自のGIT(Gate Injection Transistor)により、エンハンスメントモードを実現

【用途】
AC-DC電源(PFC、絶縁型DC-DC)、バッテリー充電システム、太陽光発電パワーコンディショナー、モーター用インバーター

【特許】
国内200件、海外180件(出願中含む)
主な特許:パナソニック独自GIT構造に関する特許(US8779438)、ノーマリオフ動作の特長を活かした駆動方法に関する特許(US8299737)

【備考】
この成果の一部は、独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の共同研究「エネルギー使用合理化技術戦略的開発」の結果得られたものです。

【製品のお問い合わせ先】
パナソニック セミコンダクターソリューションズ株式会社
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※1 耐圧600VのエンハンスメントモードGaNパワートランジスタの実装面積において。2015年5月18日現在、パナソニック調べ。

▼[プレスリリース]業界最小パッケージの耐圧600VのエンハンスメントモードGaNパワートランジスタを製品化(2015年5月18日)
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▼パナソニックのGaNパワーデバイスについて
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<関連情報>
・パナソニック 「PCIM 2015」出展のご案内
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・欧州のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM 2015」に出展~パナソニックのパワー半導体技術を結集(2015年4月27日)
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・パナソニック セミコンダクターソリューションズ株式会社
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・オートモーティブ & インダストリアルシステムズ社
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