業界最小パッケージの耐圧600VのエンハンスメントモードGaNパワートランジスタを製品化

高速スイッチング実現で、機器の省スペース化、省エネ化に貢献



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パナソニック株式会社は、耐圧600Vのエンハンスメントモードの窒化ガリウム（GaN）パワーチップを表面実装型パッケージDFN（dual-flat no-leads) 8x8に組み込んだ業界最小（※1）のGaNパワートランジスタ（X-GaN (TM)）を製品化しました。本製品は200V/nsの高速スイッチングを実現し、産業用・民生用の各種電力機器における省スペース化、さらに、低オン抵抗（54～154mΩ）による省エネルギー化が可能となります。2015年7月より耐圧600V、定格電流10A（PGA26E19BV）、15A （PGA26E08BV）のサンプルを出荷開始します。

＜製品情報＞
▼パナソニックのGaNパワーデバイスについて
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GaNパワートランジスタは機器の電源を制御する半導体で、次世代化合物半導体のひとつとして注目されています。パナソニック従来開発品のTO220パッケージを用いたGaNパワートランジスタは、パッケージの高放熱特性を活かした高出力の用途に向いていましたが、サイズが大きいことが課題でした。本製品では、8 x 8 x 1.25mmの小さなサイズで高電力密度のスイッチングを実現。さらに寄生インダクタンスが小さいため、高速スイッチング特性を引き出すことができます。

本製品は、2015年5月19日～21日にドイツ ニュルンベルクで開催されるパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM (Power Conversion Intelligent Motion) Europe 2015」に出展します。

【製品の特長】
1. GaNパワートランジスタ用に最適化した新開発の業界最小GaN表面実装型パッケージDFN 8x8（8 x 8 x 1.25mm）パナソニック従来品TO220（15 x 9.9 x 4.6mm）比：実装面積 43％
2. 表面実装型パッケージの採用により寄生インダクタンスを低減し、200V/nsの高速スイッチングを実現
3. 6インチSi基板上に実現したパナソニック独自のGIT（Gate Injection Transistor）により、エンハンスメントモードを実現

【用途】
AC-DC電源（PFC、絶縁型DC-DC）、バッテリー充電システム、太陽光発電パワーコンディショナー、モーター用インバーター

【特許】
国内200件、海外180件（出願中含む）
主な特許：パナソニック独自GIT構造に関する特許（US8779438）、ノーマリオフ動作の特長を活かした駆動方法に関する特許（US8299737）

【備考】
この成果の一部は、独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の共同研究「エネルギー使用合理化技術戦略的開発」の結果得られたものです。

【製品のお問い合わせ先】
パナソニック セミコンダクターソリューションズ株式会社
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※1 耐圧600VのエンハンスメントモードGaNパワートランジスタの実装面積において。2015年5月18日現在、パナソニック調べ。

▼[プレスリリース]業界最小パッケージの耐圧600VのエンハンスメントモードGaNパワートランジスタを製品化(2015年5月18日)
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▼パナソニックのGaNパワーデバイスについて
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＜関連情報＞
・パナソニック 「PCIM 2015」出展のご案内
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・欧州のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM 2015」に出展～パナソニックのパワー半導体技術を結集（2015年4月27日）
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・パナソニック セミコンダクターソリューションズ株式会社
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・オートモーティブ & インダストリアルシステムズ社
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プレスリリース提供：PRTIMES リンク