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ラムリサーチ、原子スケールプロセスの製品ラインを拡大

Lam Research Corporation 2014年07月09日 11時30分
From JCN Newswire

San Francisco, July 9, 2014 - ( JCN Newswire ) - 半導体業界向けの革新的なウエハー製造設備およびサービスの大手グローバルサプライヤのラムリサーチ社 (Lam Research Corp.)(NASDAQ: LRCX)は、原子層堆積(ALD)関連製品ラインに、原子層エッチング(ALE)を追加したことを、本日発表しました。2300(R) Kiyo(R) F Seriesコンダクタエッチングシステム上の新ALE機能は、生産の採算が見込め、次世代ウエハープロセスを可能にする原子スケールの変動制御を行います。この製品は、ラムリサーチの誘電体膜ALD用VECTOR(R) ALD Oxide製品、およびタングステン金属膜ALD用ALTUS(R)システムとともに活用され、各原子が重要となる原子スケールのチップ製造への、業界シフトをサポートします。

機構サイズの縮小や、新デバイスアーキテクチャの導入が進む中で、製造におけるプロセス変動の制御はさらに困難になっています。次世代の要件を考慮すると、もうすぐ機構寸法の許容度は原子数個分並みになるでしょう。同時に、デバイスのアスペクト比は増大を続け、トポグラフィーさらに複雑になっています。もっとも先進的な構造の要件に、従来のプラズマエッチングおよび蒸着プロセスは対応できませんので、新しいアプローチが必要です。ALEとALDは、一度にいくつかの原子層で蒸着と除去を行うマルチステッププロセスのサイクルを使用して、精確な制御をするソリューションを提供します。課題は、ますますコスト要件の厳しくなる製造環境に、これらのプロセスが適合するように、十分な生産性を上げることです。

ラムリサーチの2300 Kiyo F Seriesコンダクタエッチングシステム上の新ALE機能は、必要な生産性と技術の両方を提供します。製品は、リアクタ内の高速ガススイッチングと先進プラズマ技法を活用し、スループットを大幅に向上します。一方で、ダイナミックRFバイアルは、高いアスペクト比の(深く狭い)機構で素材の除去に必要な指向性エッチングを可能にします。ラムリサーチの市場トップクラスのKiyoファミリの最新オファリング、2300 Kiyo F Seriesシステムは、対称的なチャンバー設計、先進静電チャック技術、および独立プロセスチューニング機構などによって実現される優れた均一性と回復可能性を、引き続き提供します。

先日発表されたVECTOR ALD Oxideシステムは、FinFET構造とシリコン貫通電極(TSV)に必要なライナーとスペーサーや、複数パターニングスキームのスペーサーに使用される誘電体膜を提供します。製品は、課題の多い高いアスペクト比の機構についても、非常にコンフォーマルなALD膜の原子スケール制御と蒸着の際に、変動を軽減します。VECTOR ALD Oxideシステムもまた、バッチ炉と同等かそれ以上に総所有コストの節減と生産性向上を行い、単一ウエハープロセスのサイクルタイムを短縮します。

ラムリサーチの業界をリードするALTUS製品ファミリは、タングステン膜生産のベンチマークであり、長年にわたりタングステンと窒化タングステン金属の原子層蒸着に使用されてきました。独自の蒸着技術とシステムアーキテクチャにより、抵抗を低下する非常にコンフォーマルなバリアと金属膜を形成できます。さらにALTUS ALDプロセスは、先進メモリや論理アプリケーションによくあるリエントラント構造を完全に充填できます。

「業界ではデバイス寸法の積極的な拡大が続いていますので、特にこれらの機構を作るエッチングと蒸着プロセスで、新しい製造手法が必要です。」と、ラムリサーチSVP兼最高技術責任者のDave Hemkerは述べました。「弊社はこのような新しい原子スケールのプロセス機能へのニーズに対応するため、継続的なイノベーションを行い、次世代デバイス生産を実現する先進技術、プロセス制御および生産性を、半導体メーカーに提供しています。」

将来予想に関する記述(Forward-Looking Statement)についての注意

このプレスリリースの記述は、過去の事実についての記述を除き、将来予想に関する記述(forward-looking statement)であり、1995年の私募証券訴訟改革法の「セーフハーバー」条項の対象です。このような将来予想に関する記述は、次のような記述に関連しますが、これに限定されるわけではありません。原子スケールプロセスの生産性を向上し技術要件に対応する能力や、顧客アプリケーションとそのプロセス成果の変動を他の手法や設備の結果より軽減する能力を提供するラムリサーチ製品のパフォーマンスについての記述。ラムリサーチが顧客ニーズに対応する能力についての記述。ラムリサーチが次世代デバイス製造を実現する技術、プロセス制御および生産性を提供する能力についての記述。このような将来予想に関する記述は、現在の信念と期待に基づいていますので、ラムリサーチの年次報告書(書式10-K)の「リスク因子」の項目や、ラムリサーチが米国証券取引委員会に提出した他の文書に詳述されたリスクや不確実性、および状況、意味、価値、効果などの変化により左右されます。このようなリスクや不確実性、および状況、意味、価値、効果などの変化により、予測不可能な形で、本書に明示されている内容と実際の結果が大きく異なる場合があります。これらの将来の見通しに関する記述は、記述の書かれた日付時点にラムリサーチが合理的な方法で入手していた情報のみを記載していますので、お読みになる際は過大な信頼を置かないようにご注意ください。この文書の日付以降に発生した出来事や状況を反映するため、または予測または不測の事態の発生や影響を反映するために、これらの将来予想に関する記述の改訂が行われた場合でも、弊社は、それを公表する義務を負いません。

ラムリサーチについて

ラムリサーチ株式会社(NASDAQ: LRCX)は、半導体業界向けの革新的なウエハー生産設備およびサービスの提供で信頼を集めているグローバルサプライヤです。蒸着、エッチング、ストリップ、ウエハークリーニングなどの、ラムリサーチの市場トップクラスのソリューションの幅広いポートフォリオにより、お客様は砂粒の1,000分の1の大きさのデバイス機構を実現し、チップの小型化やスピードと電力効率の向上して、ウエハー事業の成功の達成に役立てることができます。ラムリサーチはコラボレーション、継続的イノベーション、コミットメント達成などを通じて、原子スケールのエンジニアリングを変革し、お客様が将来技術を生み出す支援をします。ラムリサーチは米国カリフォルニア州フレモントに本社を置くS&P 500(R)企業で、普通株をNASDAQ(R) Global Select Market(TM)にシンボルLRCXで上場しています。詳しい情報については、 リンク をご覧ください。

ラムリサーチお問い合わせ先:
Bob Climo
コーポレート広報
+1-510-572-5048
bob.climo@lamresearch.com

概要:Lam Research Corporation

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