韓国、台湾、南北アメリカにリーディングエッジキャパシティが集中
全ウェハキャパシティの29%を、80nm以下が占めていると米国調査会社ICインサイツ社の調査レポート「世界のウエハー生産能力分析と予測 2008年版」は報告している。その内訳は、高密度DRAMや70nm、60nm、50nm、40nm技術のフラッシュメモリデバイス、高性能MPU/MCU/DSPデバイス、65nmと45nm技術の高度なASIC/ASSP/FPGAデバイスなどである。
調査レポートは、プロセスを8つに分類した。世界のウェハキャパシティは、<0.12μ-≧80nmプロセスが15%、<0.16μ-≧0.12μ技術が13%である。最も一般的でない技術(少なくとも最も利用されていないキャパシティのシェア)は、0.2μと0.7μ、特に0.25μ、0.35μ、0.5μ、0.65μである。(中略)
調査レポートは、韓国、台湾、南北アメリカがその他の地域や国々よりも進んでおり、欧州は0.4μ以上の"古い"技術が最も集中しているとしている。高密度DRAMやフラッシュメモリ製品をみると、韓国がリーディングエッジプロセスの最大のシェアで、45%を占めている。次が最も先進のプロセスを使っている南北アメリカで37%、その次は32%の台湾である。(後略)
[調査レポート]
世界のウエハー生産能力分析と予測 2008年版
Global Wafer Capacity Analysis and Forecast 2008
リンク
ICインサイツ社 (IC Insights' )について
リンク
※このプレスリリースに関するお問合せ
リンク
株式会社データリソース
107-0052 東京都港区赤坂4-5-6
Tel:03-3582-2531Fax:03-3582-2861
リンク
Eメール:info@dri.co.jp
御社のプレスリリース・イベント情報を登録するには、ZDNet Japan企業情報センターサービスへのお申し込みをいただく必要がございます。詳しくは以下のページをご覧ください。