NECとトクヤマは11月21日、線幅8nm、ラインエッジラフネス1nm以下という極微細ナノ構造の形成が可能な電子線露光用超高解像度レジスト、カリックスアレーンを開発し、トクヤマが販売を始めたと発表した。
この超高解像度レジストは、ベンゼン環をリング状に4個接続した直径0.7nmの低分子量レジスト材料を使用している。主な特徴は以下の通り。
NECは、同レジストを用いた微細パターン形成技術、FineNanoを微細MOSデバイスのゲートとして使うポリシリコンの加工に適用し、線幅10nm、高さ60nm、周期35nmという高アスペクト比のパターン形成にも成功した。「この開発は、従来よりもさらに微細なゲートを必要とする将来のLSI用極微細トランジスタの試作/評価を可能にするものだ。当社は今後この成果を活用し、高性能LSIの開発を加速させていく」(NEC)
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