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ルネサス テクノロジ、書き込み速度10Mバイト/秒、容量1GバイトのCFメモリを製品化

ニューズフロント2003年10月20日 15時51分
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 ルネサス テクノロジは10月20日、書き込み速度10Mバイト/秒に対応する容量1GバイトのコンパクトフラッシュType Iメモリ、HB28J1000CCCの製品化を発表した。サンプル出荷を10月30日より始める。サンプル品の価格はオープンとする。

 同メモリは、容量1GビットのAG-AND型多値フラッシュメモリを8個搭載する。複数のモジュールに対して同時に書き込み処理を行うことで、高速書き込みを実現したという。「当社の従来品(容量512Mバイト)に比べ、書き込み速度を5倍に、容量を2倍に高めた」(同社)。インターフェースはCompactFlash仕様Version2.0に対応する。

 また同社は、HB28J1000CCCと同じAG-AND型フラッシュメモリを32個搭載することで容量を4GバイトとしたPC-ATAカードType IIメモリ、HB28J4000ACHの開発も進めている。サンプル出荷は2004年春の予定。書き込み速度はHB28J1000CCCと同じく10Mバイト/秒。

 両製品のそのほかの主な仕様は以下の通り。

【HB28J1000CCC】

  • 電源電圧:3.3V±5%、5V±10%単一電源動作
  • 動作温度:摂氏0度〜60度
  • 外形寸法:CFA仕様準拠(Type I)、42.8×36.4×3.3mm

【HB28J4000ACH】

  • インターフェース:PC Card Standard ATA仕様準拠、True-IDE仕様準拠
  • 電源電圧:3.3V±5%、5V±10%単一電源動作
  • 動作温度:摂氏0度〜60度
  • 外形寸法:PC Card Standard(Type II)、54.0×85.6×5.0mm

ルネサス テクノロジのプレスリリース

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