東芝、ノイズの少ない次世代光ディスク向け青紫レーザーを開発

　東芝は、次世代光ディスク向けの窒化ガリウム（GaN）系青紫色半導体レーザーを開発したと、10月2日に発表した。出力が200mWと高く、「世界で最も優れた低ノイズ特性を持つ」（同社）という。

　同レーザーは、活性層とその周辺の不純物濃度を高精度に制御して発光効率を向上させている。レーザー出射口に独自のコーティングを施すことで高出力化を図ると同時に、「-132dB／Hzという世界最小の相対雑音強度を達成した」（同社）。

　また、電極形成時に独自のプロセスを取り入れ、光が発生する活性領域に送り込む電流が均一となる素子構造を形成した。その結果、安定した出力でビーム形状に乱れの少ない特性を示すようになった。

　同レーザーの主な特性は以下の通り。

• 最大光出力：200mW（摂氏25度連続発振）
• しきい値電流：35mA
• 動作電流：164mA（200mW動作時）
• ビーム広がり角：12.4度（水平）、25.8度（垂直）
• 発振波長：409.nm
• 相対雑音強度：-132dB／Hz（3mW時）
• 最高動作ケース温度：摂氏100度

　同社は同レーザーについて、10月7日より千葉県の幕張メッセで開催されるCEATEC JAPAN2003で展示を行う。

東芝のプレスリリース