フラッシュメモリ、はやくも4ギガに--東芝とサンディスクが共同開発

　東芝とSanDiskが共同で、4Gビットのフラッシュメモリチップを開発した。カメラや携帯電話の内蔵用としてメーカーに提供し、小型化、大容量化のニーズに応える。両社は今月中にもサンプルを製造し、第3四半期には量産体制に入る予定。このチップは最大4枚まで積み重ねられるパッケージに挿入され、データ記憶密度を高めることが可能となっている。

　目下、フラッシュメモリ市場は急成長中だ。NAND型フラッシュメモリの人気が上昇したことで、この製造を手がける東芝とSamsungの市場シェアが、NOR型フラッシュを製造するIntelとAdvanced Micro Devices（AMD）を追い抜いてしまった。新しいチップは、90ナノメートル製造プロセスを利用して生産される。90ナノメートル製造プロセスは多くのチップメーカーが採用を進めている製造プロセスで、チップの小型化、高速化に対応可能となる。