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東芝とSanDisk、90ナノメートルHAND型フラッシュメモリを開発へ

2003/06/11 23:06
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 株式会社東芝とSanDiskは11日、90ナノメートルのプロセスを用いたHAND型フラッシュメモリに適用する、メモリセルの新技術を共同で開発したと発表した。世界最小の0.041マイクロ平方メートルのセルサイズを実現し、大容量化に適しているという。

 この新技術では、加工形状を見直したり、製造プロセスを改善することによって、加工寸法のバラつきを無くし、加工時にパターンの合わせズレがない「完全自己整合型」のメモリセルを実現。また、素子の構成領域を同じ幅で作るため、素子間の仕切りの幅も一定にでき、90ナノメートルプロセス以降の微細化にも対応可能だ。

 従来、電子を蓄積する浮遊ゲートや素子間の分離構造など、メモリセルの部分ごとに最適な加工形状が異なっていた。そのため、110ナノメートルプロセスが加工限界とされていた。

 2004年第1四半期には、2ギガビットのHAND型フラッシュメモリを製品化するほか、多値技術を用いて容量を2倍した4ギガビットの製品も製品化する予定だ。これは、両社合弁会社のフラッシュビジョン社が製造するという。

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