サムスン、70nmプロセスの4GビットNAND型フラッシュメモリを量産開始

　Samsungは30日、70ナノメートルプロセスを使用した4GビットのNAND型フラッシュメモリの量産を開始したと発表した。これにより、今後、メモリカードの価格は低下するものと思われる。NAND型フラッシュメモリは、コンパクトフラッシュカードをはじめ、MP3プレイヤーやデジタルカメラ、USBメモリなどの携帯用デバイスでも使用される。70ナノメートルプロセスへの移行により、従来の90ナノメートルプロセスより小型／高速／低価格なメモリチップの製造が可能になる（70ナノメートルとは、チップ上に実装されるコンポーネントの平均サイズを示している）。

　Samsungによると、70ナノメートルプロセスを使用して製造された4GビットのNAND型フラッシュチップのデータ書き込み速度は、16Mbpsになり、前世代と比べて50％高速化するという。そのため、高品位（HD）映像の記録も可能になっている。同チップの量産開始を受けて、USBメモリの最大記憶容量が、現行の1Gビットから、4Gビットまたは8Gビットまでに増加することが予想されている。Samsungは、2004年9月に70ナノメートルの4GビットNAND型フラッシュメモリの製造を発表していた。今回の発表は、同製品が商用での使用に対応できるだけの数量で出荷可能になったことを示している。