インテル、20ナノメートルフラッシュテクノロジを発表

Jack Clark （ZDNET.com） 翻訳校正： 川村インターナショナル2011年04月18日 12時43分

　IntelとMicron Technologyは米国時間4月14日、NANDフラッシュストレージ向けの20ナノメートル（nm）プロセス技術を共同で開発したと発表した。両社が2010年8月に8Gバイトのデバイスを開発したときに用いた25nmプロセスを改良したものだという。

　IntelとMicronは2011年後半に、20nm技術に基づいた8GバイトMLCデバイスの量産を開始する予定。また、同じ時期に16Gバイトデバイスのサンプルも発表したいとしている。これらの製品はIM Flash Technologiesが製造する予定だという。

この記事は海外CBS Interactive発の記事を朝日インタラクティブが日本向けに編集したものです。

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