東芝は12月25日、最大データ転送速度が3.2Gbpsの512MビットXDR DRAM、TC59YM916AMG32Aなど3製品のサンプル出荷を同日より始めると発表した。同DRAMは、米Rambusから技術ライセンスを受けて開発した製品。「現在市販されている高性能パソコン用メモリに比べデータ転送速度は8倍高く、世界最高速」(東芝)
同DRAMは、コントローラーからメモリに送られる基準信号の1クロックに対し、8つのデータの入出力を行うOctal Data Rate(ODR)を用い、データ転送速度を高めたという。また「世界で初めて」(同社)0.2Vの小振幅差動信号(DRSL)をDRAMのデータバスに採用し、400MHzのクロック信号に同期して8つのデータを転送することで、1つのI/Oから3.2GHzでデータの入出力を可能とした。
構成は4Mワード×8バンク×16ビット。電源電圧は1.8V VDD。パッケージはBGAで、1.27mm×0.8mmピッチ。
3製品のそのほかの仕様は以下の通り。
【TC59YM916AMG32A】
【TC59YM916AMG32B】
【TC59YM916AMG32C】
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