ソニー、半導体の設備投資を3年間で2000億円、65ナノメートルに対応

　ソニーグループは4月21日、300ミリメートル・ウエハで65ナノメートル・プロセスに対応した半導体生産設備の導入に向け、今後3年間で総額約2000億円の設備投資を行うと発表した。2005年度をめどに65ナノメートル・プロセスに対応したDRAM混載の半導体拠点として、世界最速の量販体制を確立する構えだ。

　今回の計画は、ソニー・コンピュータエンタテイメント（SCEI）が次世代コンピュータエンタテイメント・システムに搭載する次世代汎用プロセッサ（コードネームは「CELL」）を中心としたブロードバンド対応のシステムLSI群を生産することを目的としたもの。SCEIでは、米IBMと東芝の2社と共同で、次世代汎用プロセッサの研究開発に取り組んでおり、ソニーを加えた4社でブロードバンドアプリケーションに対応した信号処理技術の研究開発を進めている。

　初年度となる03年度は約730億円を設備投資する。ソニーコンピュータエンタテインメント（SCEI）が長崎県諌早市に保有する半導体生産拠点「SCE Fab2」の未実装スペースを中心に、300ミリメートル・ウエハで65ナノメートルに対応した半導体生産ラインの導入を開始する。

　安藤国威・ソニー社長兼ソニーグループCOOは、「今回の投資は、ソニーグループにとって今後の成長戦略に大きく貢献するものだ。ハードウェアで付加価値を提供するためには、内製化の比率を引き上げ、半導体事業を拡大することが重要」と話した。

　半導体拠点の設備投資においては、99年以降から約3000億円規模の投資を実施してきた。この設備投資により、SCEIでは90ナノメートルのDRAM混載プロセスを用いた半導体生産を今年度から本格的に開始。同技術の導入によって、「プレイステーション2」に搭載しているCPU「エモーションエンジン（EE）」と、描画プロセッサ「グラフィックス・シンセサイザ（GS）」の1チップ化を実現した。半導体の生産は、SCEIと東芝との協業による半導体生産拠点である大分ティーエスセミコンダクタで今春、SCE Fabで今秋から導入を開始する。

　久夛良木健・SCEI社長兼ソニー副社長は、「3000億円を投資することで90ナノメートルの半導体生産を手に入れることができた。コンピュータエンタテインメント分野は、半導体事業にとって巨大なキャッシュフローやコンテンツを生み出す」と強調した。

　また、藤井美英・東芝セミコンダクター社副社長も同席し、「90ナノメートルの量産は、東芝にとって有益となるため、全力をあげて取り組んでいく」と意気込んだ。なお、東芝では、大分工場において300ミリメートル・ウエハを用いたシステムLSIの新製造棟建設を今年6月から開始する。今年度は約400億円を投資し、新製造棟にかかる投資規模が約2000億円となる。SCEIも投資することを検討している。

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