富士通は7月17日、90nmルール/CMOSプロセスで製造する民生品向けシステムLSI基盤、CS101シリーズの受注を同日より始めると発表した。同シリーズでは、10層銅配線、Low-kなどの半導体技術も使用する。サンプル出荷開始は2003年9月の予定。
CS101シリーズのゲート密度は42万ゲート/平方mmあり、最大で約1億ゲート搭載できるという。SRAMのセル面積は、1ビット当たり1.14平方ミクロン。動作時の消費電力は2.7nW(1ゲート、1MHz時)と「業界で最も少ないレベル」(同社)という。そのため「デジタルAV/モバイル機器の小型化/低消費電力化に貢献する」(同社)。
また、低リークトランジスタ、高速トランジスタ、超高速トランジスタの混載が可能で、LSIの低消費電力化と高速動作を両立できるという。
同シリーズのそのほかの主な仕様は以下の通り。
同社は、高速インターフェース搭載技術を組み合わせたネットワーク機器向けLSIの提供を2004年に開始するなど、CS101シリーズの適用範囲拡大を計画している。
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