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大型四角基板対応と解像力1.0マイクロメートルを両立 半導体露光装置“FPA-8000iW”を発売

キヤノンは、半導体露光装置の新製品として、515×510mmまでの大型四角基板への対応と1.0マイクロメートル(※1)の高い解像力を両立した後工程向けi線(※2)ステッパー“FPA-8000iW”を2020年7月上旬に発売します。



[画像: リンク ]

新製品は、キヤノンの半導体露光装置として初めて大型四角基板に対応した後工程向け露光装置です。キヤノン独自の投影光学系を搭載し、広画角の露光を可能にすると同時に1.0マイクロメートルの高解像力を実現します。これにより、データセンター向けのCPUやGPUなどの低消費電力化を実現する有機基板を使ったPLP(※3)において、515×510mmの大型四角基板で効率よく生産したいユーザーのニーズに応えます。高い解像力と広画角の露光、高い生産性を達成したことで、半導体パッケージング(※4)のさらなる微細化と大型化、コストダウンを実現します。


高い生産性を実現する大型基板でのパッケージングに対応

四角基板を使ったパッケージ工程のニーズに応え、515×510mmの大型四角基板を搬送できる新しいプラットフォームを開発しました。また、大型四角基板に生じやすい基板反りにおいても、新たな搬送システムの搭載により、10mmもの大きな反りを矯正した状態で露光できます。これにより大型半導体チップを効率よく生産できるPLPを実現し、高い生産性を求めるユーザーのニーズに応えます。


先端パッケージングを可能にする解像力1.0マイクロメートルを実現

キヤノン独自の投影光学系により、52×68mmの広画角の露光が可能で、四角基板対応のパッケージング向け露光装置として最高(※5)の解像力1.0マイクロメートルを実現しました。これにより、半導体チップの高集積化・薄型化に対応できるPLPなどの先端パッケージングが可能になり、さまざまなユーザーのニーズに応えます。

※1 1マイクロメートルは、100 万分の 1メートル。(=1000 分の1mm)
※2 i線(水銀ランプ波長 365nm)の光源を利用した半導体露光装置。1nm(ナノメートル)は10億分の1メートル。
※3 Panel Level Packagingの略。多数の半導体チップを薄型で四角形の大判パネルに並べて一括成型するパッケージ製造工法。
※4 繊細な半導体チップを外部環境から保護し、実装する際に外部との電気接続を可能にすること。
※5 2020年6月22日現在。(キヤノン調べ)

プレスリリース提供:PR TIMES リンク

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