フライバック・コンバータの電力と効率を向上させる900V耐圧パワーMOSFETを発表

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STマイクロエレクトロニクス（NYSE:STM、以下ST）は、クラス最高のオン抵抗（RDS(ON)）とスイッチング特性を特徴とする新しい900V耐圧パワーMOSFET（スーパー・ジャンクション型）のMDmesh(TM) K5を発表しました。この製品は、より高い電力および効率が求められるシステムに対応することができます。

900V耐圧は、高いバス電圧を必要とするシステムにおいて、より余裕を持った安全マージンを提供します。この新製品シリーズには、900V耐圧品として、初の100mΩ未満のオン抵抗の製品が含まれており、DPAKパッケージで提供される製品の中では業界で最も優れたオン抵抗を実現しています。また、ゲート電荷量（Qg）も業界最小です。これにより、とりわけ広範囲の入力電圧レンジが必要な場合に、柔軟な高速スイッチングが可能になります。その結果、35Wから230W以上までの出力定格をカバーする標準的な回路または疑似共振型、アクティブ・クランプ設計などのフライバック・コンバータの全方式において、高い効率と信頼性を実現します。さらに、低い入出力容量（Ciss、Coss）が、ハーフブリッジLLC共振コンバータにおいて、電力損失を最小限に抑えるゼロ電圧スイッチングを可能にします。

安全マージンを向上させる新製品のDC特性およびスイッチング特性の優位性は、広範囲にわたる電源製品の性能向上を可能にします。これには、サーバ用電源や3相スイッチモード電源（SMPS）、LED照明電源、電気自動車（EV）充電器、太陽光発電システム、溶接機、産業用ドライブ、工場自動化システムなど、さまざまなシステムが含まれます。

STのスーパー・ジャンクション型パワーMOSFETファミリであるMDmesh K5には、各種定格電圧（800V、850V、900V、950V、1050V、1200V、1500V）の製品が用意されています。また、多様なパッケージ（TO-220AB、TO-220FP、TO-247、TO-247長リード、IPAK / I2PAK、D2PAK / DPAKなどの表面実装型パワー・パッケージ）も用意されており、超高耐圧パワーMOSFETの包括的なポートフォリオを構築しています。

最新の900V耐圧パワーMOSFETであるMDmesh K5は、現在入手可能です。DPAKパッケージで提供されるSTD4N90K5の単価は、1000個購入時に約0.73ドルです。

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STマイクロエレクトロニクスについて
STは、私たちの暮らしに欠かすことのできないエレクトロニクス機器に、優れた性能と高い電力効率を特徴とした半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。あらゆるシーンで活躍するSTの製品は、お客様が開発する次世代モバイルやIoT機器の他、よりスマートな自動車、工場、都市および住宅を可能にします。STは、生活をより豊かにする技術革新を通じ、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。STは、10万社を超えるお客様に半導体を提供しており、2016年の売上は69.7億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（ リンク ）をご覧ください。

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