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ファラデー社が55nm eFlash(フラッシュメモリ)内蔵可能な次世代MCU ASICを開発

Faraday Technology Corporation 2016年12月15日 15時06分
From 共同通信PRワイヤー

ファラデー社が55nm eFlash(フラッシュメモリ)内蔵可能な次世代MCU ASICを開発

AsiaNet 66846

ファラデー社が55nm eFlash(フラッシュメモリ)内蔵可能な次世代MCU ASICを開発

【新竹(台湾)2016年12月15日PR Newswire】ASIC設計サービスとIPの大手プロバイダーであるファラデーテクノロジー社(Faraday Technology Corporation)(TWSE: 3035)は15日、より高性能のMCUを提供可能な55nm eFlashベースのASICソリューションを提供する準備が整ったと発表しました。ファラデー社のフラッシュ内蔵のMCU ASICは、90nmをスキップし、8インチ0.11umのソリューションから12インチ55nm eFlashプロセスノードにジャンプします。これにより大幅な低消費電力/低リーク電流と性能向上を提供することが可能となります。ファラデー社は、既にMFP(多機能プリンター)やスマートメーターなど、多くの応用分野でデザイン・ウィンを獲得しています。

この55nm eFlashベースのASICソリューションは、ファラデー社のPowerSlash(TM)ライブラリーとデバイス性能をアップするTurbo Mode機能を搭載したメモリーIPで構成されています。ファラデー社は、SoCシリコンの開発を加速する為、多種にわたるインターフェースIPやUranus(TM)SoC開発プラットフォームを提供します。55nmデザイン・ウィンに加え、ファラデー社のeFlashソリューションはタッチパネル、ファクトリー・オートメーション、車載用途に実装され、拡大を続ける市場のニーズに応えています。

ファラデー社のスティーブ・ワン社長は「高性能なMCUへの需要に応える為、ファラデー社は55nm eFlashベースASICソリューションによって、新しいマイグレーション・パスを提供可能です。われわれは、UMCファブに当社のASICソリューションを実装する為の豊かな経験と知見を擁しており、このeFlashブロックの歩留まり向上にも寄与できると考えています。われわれはこの55nmソリューションを活用することにより、当社のお客様がコスト優位性とタイムトゥーマーケットを必要とする市場で、ビジネスチャンスをつかむことに寄与できます」と語った。

ファラデーテクノロジー社(Faraday Technology Corporation)について

ファラデーテクノロジー社(TWSE: 3035)はASICデザイン・サービスおよびIPの大手プロバイダーです。幅広いIPポートフォリオには、I/O、セル・ライブラリー、メモリー・コンパイラー、ARM互換のCPU、DDR2/3/4、低電力消費DDR1/2/3、MIPI、V-by-One、MPEG4、H.264、USB 2.0/3.1 Gen 1、10/100/1000 Ethernet、シリアルATA、PCI Express、プログラマブルSerDesなどが含まれます。台湾に本社を置くファラデー社は米国、日本、欧州、中国など世界中にサービスとサポートの事務所を構えています。
ファラデー社に関する詳しい情報はウェブサイトwww.faraday-tech.com を参照下さい。

(日本語リリース:クライアント提供)


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