パナソニックがGaNパワートランジスタ「X-GaN(TM)」対応の専用高速ゲートドライバICの量産を開始～電力変換装置の省スペース化・省エネ化に貢献

[画像: リンク ]

パナソニック セミコンダクターソリューションズ株式会社は、同社GaNパワートランジスタ「X-GaN」の駆動に最適な高速ゲートドライバIC（AN34092B）の量産出荷を2016年11月より開始します。合わせて、「X-GaN」2品種（PGA26E07BA、PGA26E19BA）の量産も開始し、高速ゲートドライバICと組み合わせたソリューションを展開します。

▼高速ゲートドライバIC（AN34092B）について
リンク
▼「X-GaN」について
リンク
▼[動画] パナソニック パワートランジスタ X-GaN(TM) 量産開始
リンク
リンク
[動画: リンク ]



GaNパワートランジスタは、各種電力機器の省スペース化・省エネルギー化を実現できる次世代化合物半導体として期待されています。トランジスタの駆動にはゲートドライバICが必要となりますが、GaNトランジスタは従来のシリコン（Si）トランジスタとはゲート構造が異なるため、Si用の汎用ゲートドライバICでは性能を最大限に発揮できないという課題がありました。

新製品の高速ゲートドライバIC（AN34092B）は、パナソニックの「X-GaN」の高速動作性能を容易かつ安全に引き出すことが可能な専用ゲートドライバICです。最大4MHzの高周波駆動対応に加え、高速スイッチング時の誤動作を抑制するアクティブミラークランプ機能（※1）等を搭載しています。同社の「X-GaN」は独自の技術により、耐圧600Vのエンハンスメントモード（※2）を実現し、高速スイッチングと低オン抵抗（※3）を特長としています。この「X-GaN」と専用高速ゲートドライバICの組み合わせにより、産業および民生用の各種電力変換装置のさらなる省スペース化・省エネルギー化に貢献します。

「X-GaN」、および、専用高速ゲートドライバICは、100W～5kWの電源やインバータ用途、データセンター、基地局、家電製品、AV機器、産業、医療等のアプリケーションに適しています。

また、「X-GaN」、および、専用高速ゲートドライバICは、2016年11月8日（火）から11日（金）まで、ドイツ・ミュンヘンで開催される「エレクトロニカ2016」に出展します。

【高速ゲートドライバIC（AN34092B）について】
［ラインアップ］
AN34092B
［特長］
・省スペース化を実現する最大4MHzの高周波駆動に対応
・省エネルギー化に貢献する高スルーレート駆動を実現
・高速スイッチング時の誤動作を抑制するアクティブミラークランプ機能を搭載

【「X-GaN」について】
［ラインアップ］
PGA26E07BA（70mΩ）、PGA26E19BA（190mΩ）
［特長］
パナソニック独自の技術により、耐圧600Vのエンハンスメントモードと電流コラプス（※4）フリーを実現しています。また、高速動作により電力変換効率の向上と小型化を実現することが可能です。

【商品に関するお問い合わせ】
・GaNパワーデバイス関連製品について
パナソニック セミコンダクターソリューションズ株式会社
リンク

※1 アクティブミラークランプ
トランジスタがOFFのときに、外来ノイズ等によりゲート電圧が持ち上がってトランジスタが誤動作しないように、ゲート端子を直接グランド電位に固定させる機能。
※2 エンハンスメントモード
ゲートに電圧を印加しないとトランジスタがオンとならない特性。ノーマリーオフのこと。
※3 低オン抵抗
トランジスタがON動作した時の、ドレインーソース間の抵抗値。この値が低いほどトランジスタの損失は小さくなる。
※4 電流コラプス
ドレインーソース間に高電圧が印加されることにより、そのエネルギーでドレイン領域に存在する電子がトラップされる現象。その為トランジスタがONして、ドレインからソースに電流が流れる時に、このトラップされた電子が電流の流れを妨げてON抵抗が上昇することになる。

＜関連情報＞
・[プレスリリース] 業界最小パッケージの耐圧600VのエンハンスメントモードGaNパワートランジスタを製品化（2015年5月18日）
リンク
・[動画] 開発ストーリー：パナソニックの次世代パワーデバイス「X-GaN」
リンク
・パナソニック セミコンダクターソリューションズ株式会社
リンク

プレスリリース提供：PR TIMES リンク