ヴィスICテクノロジーズが業界新記録、窒化ガリウムのデバイスが高周波で最高効率を示す

ヴィスICテクノロジーズが業界新記録、窒化ガリウムのデバイスが高周波で最高効率を示す

AsiaNet 64682

テルアビブ（イスラエル）、2016年6月6日/PRニュースワイヤー/ --

ヴィスICテクノロジーズ(VisIC Technologies：リンク )は、新世代のオールスイッチ（ALL-Switch）V22S65A（内部SiCダイオード使用）とV22N65A（内部SiCダイオードなし）を発表いたします。

     (写真: リンク )
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この新バージョンのヴィスICオールスイッチはMILLER効果を大幅に削減し、すぐに使用できる標準ドライバーがヴィスICの構造で使えるようになります。これらの新しい機器は特定のアプリケーションで必要な部品表を減らすこともできます。

ハードスイッチング・トポロジで非常に効果的であるため、V22シリーズはゼロ電圧スイッチングあるいはゼロ電流スイッチング・トポロジに使用できます。650VＧａＮまたはSiC MOSFETトランジスタでオン抵抗が最も低くなり、スルーレートが100V/nSを超えると電力変換効率が非常に高くなります。

さらに閾値電圧が5Vを超えるため、厳しいEMI環境下でも機器は正常に作動します。

ヴィスICテクノロジーズは、ハードスイッチ・トポロジが2.5KWを出力し、200 kHzでの最大効率が99. 3 %を超えるという、ハーフブリッジ・デモンストレーションボードの性能を世界的に証明しました

ヴィスICテクノロジーズについて
イスラエルのネスシオナに拠点を置くヴィスICテクノロジーズは2010年、GaNによる先進の電力変換を開発、販売しようと、窒化ガリウム（GaN）技術の専門家たちが創立しました。ヴィスICは高出力のGaNトランジスタとモジュールの開発に成功し、今や市場に投入しようとしています。（GaNは、現在電力変換システムで使用しているシリコン（Si）製品の大半に取って代わることが見込まれています）ヴィスICはGaN技術の主要な特許を取得、追加の特許を申請中です。

詳細はわが社のウェブサイトをご参照ください：リンク　GaNで最高効率。

詳細は下記までお問い合わせください:
セールス＆マーケッティング
Eli Zenouda ディレクター
+972-54-2296641
eliz@visic-tech.com

情報源：ヴィスICテクノロジーズ

（日本語リリース：クライアント提供）