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超伝導体Sn1-xAgxTeの高圧合成に成功~トポロジカル結晶絶縁体の超伝導化に新ドーピング手法~

公立大学法人首都大学東京 2016年03月28日 14時30分
From 共同通信PRワイヤー

20160328

首都大学東京

【研究成果報告】超伝導体Sn1-xAgxTeの高圧合成に成功~トポロジカル結晶絶縁体の超伝導化に新ドーピング手法~

 首都大学東京 理工学研究科 電気電子工学専攻 水口佳一助教らの研究グループは、トポロジカル結晶絶縁体であるSnTeにAgを部分置換することで、新しい超伝導体Sn1-xAgxTeを合成することに成功しました。
 トポロジカル結晶絶縁体として注目されているSnTeは、SnをInで部分置換することで超伝導化することが知られており、トポロジカル超伝導体である可能性が示されています。一方、SnTeを超伝導化するドーピング手法はIn置換に限られており、超伝導機構解明を目指すためには新たなドーピング手法によるSnTe系新超伝導体の開発が求められていました。
 本研究グループは、高圧合成法を駆使し、常圧環境下では得られないSn1-xAgxTe(x = 0-0.5の広いドーピング領域)の合成に成功し、Sn1-xAgxTeが超伝導体であることを発見した。今回得られたSn1-xAgxTe超伝導体の物性を詳細に研究することで、新たなトポロジカル超伝導体の発見が期待され、また、高圧合成法を駆使したSnTe系新物質のさらなる開拓が期待されます。

【当該研究のポイント】
○研究者について
 ・首都大学東京 電気電子工学専攻 水口佳一助教、三浦大介准教授
  
○研究成果のポイント
 ・トポロジカル結晶絶縁体SnTeを超伝導化する新たなドーピング手法を発見した。
 ・高圧合成法を駆使した新規超伝導体Sn1-xAgxTeの合成に成功。
 ・SnTe系の新物質開発に高圧合成法が有効であることを示した。
  
※平成28年4月 日本物理学会刊行の英文誌「Journal of the Physical Society of Japan」
(オンライン版)に詳細掲載予定。
※詳細は添付PDF資料を参照ください。



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