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シルバコ、SIP次世代パワーエレクトロニクス・プロジェクト「酸化ガリウムパワーデバイス基盤技術の研究開発」に参加

Yokohama, Nov 19, 2014 - ( JCN Newswire ) - 株式会社シルバコ・ジャパン(本社:神奈川県横浜市、以下シルバコ)は、独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(本部:神奈川県川崎市、以下NEDO)が推進する、戦略的イノベーション創造プログラム(SIP)/次世代パワーエレクトロニクスの「酸化ガリウムパワーデバイス基盤技術の研究開発」プロジェクトへの参加を発表しました。このプロジェクトにはシルバコの他に、独立行政法人情報通信研究機構、株式会社タムラ製作所、国立大学法人東京農工大学、新日本無線株式会社が参加しています。(*関連記事)

これまでに、独立行政法人情報通信研究機構、株式会社タムラ製作所、株式会社光波は、新しいワイドギャップ半導体材料である酸化ガリウムを用いたMOSトランジスタの開発に、世界に先駆けて成功しております。
今回のプロジェクトでは、酸化ガリウムの次世代パワーデバイスへの展開を目的として、基礎物性研究から、将来の産業展開を見据えたバルク・薄膜結晶成長技術、デバイスプロセス技術、モジュール化技術にわたる研究開発分野を対象として、2018年度までにその基盤技術確立を目指します。

酸化ガリウムを用いたトランジスタ、ダイオードは、従来の化合物系半導体デバイスと比較しても高耐圧、高出力、低損失といったパワーデバイス特性に優れたものになることが期待されます。また、材料となるβ-Ga2O3は、原理的に大口径単結晶基板を低コスト・低消費エネルギーで作製可能な融液成長法により、単結晶バルクを生成可能です。この特長は、産業化を見据えた場合に絶対的な優位となると考えられています。

シルバコ・ジャパン代表取締役イリヤ・ぺシックは次のように述べています。「当社は長年にわたり、半導体プロセスデバイス・シミュレータの開発、販売と技術サポートを行ってきました。シリコン系デバイスはもとより、化合物系半導体、パワーデバイスのシミュレーション技術に強みを持ち、ワイドバンドギャプ半導体での実績が豊富です。社内の先進技術を結集して、酸化ガリウム・パワーデバイス基盤技術の研究開発プロジェクトに貢献していく所存です。」

(*関連記事)NEDOプレスリリース
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概要:株式会社シルバコ・ジャパン
株式会社シルバコ・ジャパンは、1989年に現在のSilvaco, Inc.の日本支社として設立、1995年に日本法人として登記されました。シルバコ・ジャパンは、日本のTCADおよびEDAソフトウェア業界におけるトップ・カンパニーを目指し、技術サポートと営業の強化、研究開発環境の拡充に全力をあげています。事業拠点を横浜本社および京都オフィスに構え、充実したサービスを展開しています。
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