◎PVA TePla AGが量産向けSiC結晶化システム「baSiC-T」を紹介

◎PVA TePla AGが量産向けSiC結晶化システム「baSiC-T」を紹介

AsiaNet 54391
共同JBN 1102 （2013.10.1）

【ベッテンベルク（ドイツ）2013年10月1日PRN＝共同JBN】
　＊ハイパフォーマンス電子機器向けシリコンカーバイド（炭化ケイ素、SiC）
　＊工業生産利用の成功
　＊量産向け高度自動化
　＊低操業コスト

▽ハイパフォーマンス電子機器向けSiC
SiC結晶は特に、ハイテク市場で働く顧客から求められている。代表的アプリケーションは、ハイブリッド車、電気自動車、空調システム、LEDアプリケーション、太陽光発電向けなどd.c./a.c.コンバーターなどハイパフォーマンス電子機器が含まれる。シリコンカーバイド材の大きな利点は、通常のシリコン部品と比較して、40%余りのエネルギー消費の大きな節約になることである。これに加えて、製品がまた高温かつ1万ボルトを超える高圧で利用できることから、将来は半導体産業に完全に新しい展望をもたらすことである。このことは今日使われているシリコンの能力を劇的に超越することになる。

▽モジュラー構造と高度の自動化
革新的な結晶化システムbaSiC-Tの設計は、モジュラーコンセプトに基づいており、直径が最大150mmまでで使われる基板が可能になる。baSiC-Tの低操業コストと高度自動化は、シリコンカーバイドの安価な量産に役立つ。

▽工業生産利用の成功
SiC結晶を製造するシステムは、既に欧州とアジアのいくつかの顧客に提供されており、システムの素晴らしいパフォーマンスを実証して成功裏に受け入れられている。

baSiC-Tに関する詳しい情報は以下のリンクで閲覧できる。
リンク(htcvd-htcvt)/typ-basic-t

▽パワーエレクトロニクス分野におけるPVA TePlaについて
baSiC-Tに加えて、PVA TePlaのその他のシステム製品シリーズは、既にパワーエレクトロニクス分野で使われている。

SiCube（リンク(htcvd-htcvt)/typ-sicube）は、冷却時挙動変化PVT（圧力・体積・温度）およびHTCVD（高温化学気相成長法）によるSiC結晶の量産用工業試験システムである。

当社のFloatzone（リンク）（FZ35）
およびCzochralski（リンク）（EKZ）両システムは、高純度シリコンの結晶化に使われる。

窒化ガリウム（GaN）・エピタキシー法処理を利用するサセプタ（susceptors）（リンク）のリサイクルは、特殊なPVA TePla真空溶解炉（リンク）で実施される。

非破壊品質管理向けの別の革新的計測技術
（リンク）
もまた利用できる。

▽問い合わせ先
Dr. Gert Fisahn
Investor Relations
PVA TePla AG
Phone: +49(0)641/68690-400
gert.fisahn@pvatepla.com
リンク

ソース：PVA TePla AG