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新しい低消費電力パッケージを採用し、高効率パワーMOSFETファミリを拡充

STマイクロエレクトロニクス 2013年05月16日 09時53分
From PR TIMES

最新のMDmesh(TM) Vスーパー・ジャンクション型MOSFETの革新的な4リード・パッケージが、スイッチング効率を向上させる専用の制御入力を追加



多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーの
STマイクロエレクトロニクス(NYSE: STM、以下ST)は、生活家電、テレビ、PC、
通信、サーバー用スイッチング電源等におけるパワー回路の効率を向上させる
最新のパッケージ技術を採用した、スーパー・ジャンクション型のMDmesh(TM)
V パワーMOSFETを発表しました。

従来のパッケージは、スイッチング制御・パワーラインを共用していましたが、
新製品の4リード・パッケージ(TO247-4)は、スイッチング制御専用のソース
接続を提供します。このリードの追加によりスイッチング効率が向上し、
電力損失を抑える他、より小型の電源装置を高周波数で運用することが可能に
なります。

このパッケージは、STとInfineon社が共同開発したことから、Infineon社も
スーパー・ジャンクション型の新製品を発表しており、セカンドソースの柔軟性
をユーザーに提供しています。STマイクロエレクトロニクスのパワー・トランジ
スタ事業部マーケティング・ディレクターであるMaurizio Giudiceは、次の様に
コメントしています。「コスト効率に優れたTO247-4は、標準TO-247の置き換え
における基板レイアウト変更が最小限で済むため、電力システムへの実装が
簡略化されます。また、同パッケージを採用している新製品のMDmesh V パワー
MOSFETにより、アクティブ・モード時の電力効率が改善されたことで、最終機器
の環境性能が向上します。」

TO247-4パッケージは、ソースへのケルビン接続を可能にする画期的な内部設計
を特徴としています。この接続は、主電源接続の共通のソース・インダクタンスを
バイパスするため、スイッチング損失は最大60%削減され、設計者はより小型の
フィルタ・コンポーネントを使用できる高スイッチング周波数を利用できます。
この新パッケージを、シリコン当りの導通時の効率が最高レベルのSTのMDmesh
スーパー・ジャンクション技術と組み合わせることで、最大限かつ総合的な
省電力化を実現します。

今回発表したSTW57N65M5-4は、TO247-4を初めて採用したMDmesh製品
で、多種多様なコンスーマ・産業用機器のアクティブな力率改善(PFC)回路
およびフル・ブリッジまたはハーフ・ブリッジのパワー・コンバータの電力効率
を向上させます。

TO247-4を採用したSTW57N65M5-4のその他特徴
・高ノイズ耐性、電磁妨害(EMI)の感度低減
・定格電圧向上による安全動作領域の拡大
・高dv/dt性能による信頼性向上
・100%アバランシェ試験済み、耐性設計対応

STW57N65M5-4は現在量産中で、単価は1000個購入時に約10ドルです。

詳細については、リンク をご覧ください。

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、「センス & パワー、オートモーティブ製品」と「エンベデッド・プロ
セッシング ソリューション」の多種多様なアプリケーションに半導体を提供
する世界的な総合半導体メーカーです。エネルギー管理・省電力からデータ・
セキュリティ、医療・ヘルスケアからスマート・コンスーマ機器まで、そして、
家庭、自動車、オフィスおよび仕事や遊びの中など、人々の暮らしのあらゆる
シーンにおいてSTの技術が活躍しています。STは、よりスマートな生活に向けた
技術革新を通し、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。2012年の売上
は84.9億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト
リンク )をご覧ください。

◆ お客様お問い合わせ先
〒108-6017 東京都港区港南2-15-1
品川インターシティA棟
STマイクロエレクトロニクス(株)
アナログ・MEMS・パワー製品グループ
TEL: 03-5783-8250 FAX: 03-5783-8216

プレスリリース提供:PRTIMES リンク

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