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RFパワー市場向けに独自の先進技術を採用した新製品を発表

STマイクロエレクトロニクス 2011年10月04日 11時16分
From PR TIMES



最先端の広帯域アンプ技術を強化し、
ワイヤレス・システムの性能を向上させる
コスト効率に優れたプラットフォームを提供
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エレクトロニクス分野の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的
半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、先進
技術を採用したRFパワー・トランジスタの新製品を発表しました。この先進的な
技術は、行政通信システム、緊急サービスに使用される個人用移動無線、
Lバンド衛星アップリンク装置等、要求レベルの高いアプリケーションにおいて、
性能・耐久性・信頼性を向上させます。

セキュリティ・サービス、緊急サービス、商用通信等の事業者が使用する無線
基地局やリピータといった設備は、歪みの低減と同時に高い周波数で高RFパワー
出力を達成する必要があります。このような相反する目標により、設計が複雑化
し、余分なコストが発生します。システム設計者は、LDMOS技術用いた製品を
採用することで、この目標を達成出来ます。現在、STは、現存のLDMOS技術を
さらに改良し、システム性能の飛躍的な向上を可能にします。

RF製品担当のマーケティング / アプリケーション・サポート・マネージャで
あるSerge Juhelは、次の様にコメントしています。「LDMOSは、堅牢な高速無線
通信を実現するための重要な技術です。STの次世代製品は、リニアリティ、
耐久性、信頼性等の重要なシステム指標に妥協することなく、RFパワーを増強
するのに役立つでしょう。先進的な新製品は、個人用移動無線、広域行政通信、
航空電子システム、衛星アップリンク無線といった重要なアプリケーションへ
性能向上を提供します。」

RFトランジスタであるLETファミリは、STの最新技術 STH5P LDMOSによって電力
飽和能力を向上させると共に、大電力レベルでの歪みを最小化しました。この
製品は、リニアリティ、耐久性および信頼性を大幅に改善し、2GHzまでの周波数
で動作可能です。また、従来のLDMOSプロセスを使用したデバイスより、性能、
効率が10~15%向上しています。

さらに、従来の製品よりゲインが3dB高くなったため、アンプ設計が簡略化され、
部品点数を最小化します。その他、ブレークダウン電圧の上昇(65V→80V)や
熱性能の改善等により、信頼性および負荷不整合能力が大幅に向上しました。

現在、LETファミリの6製品が量産中で、その他5製品の量産を2011年第4四半期に
開始する予定です。単価は1000個購入時に約31ドル~128.7ドルで、業界標準の
ボルト締めまたは半田付け用パッケージにて提供されます。大量購入時の単価に
ついてはお問い合わせください。低コストのPower-SO 10RF表面実装パッケージ
(プレスチック製:成型またはストレート・リード線)にて提供される製品は、
現在サンプル出荷中です。

詳細については、 リンク
ご覧ください。

STマイクロエレクトロニクスについて
STマイクロエレクトロニクスは、多種多様な電子機器向けに革新的な半導体
ソリューションを提供する世界的な総合半導体メーカーです。STは、高度な
技術力と設計ノウハウ、そして幅広いIP(Intellectual Property)
ポートフォリオ、戦略的パートナーシップ、大規模な製造力を駆使することに
より、マルチメディア・コンバージェンスとパワー・アプリケーションにおいて
他社の追随を許さないリーダーとなることを目指しています。2010年の売上は
103.5億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのホームページをご覧ください。
ST日本法人: リンク
STグループ(英語): リンク

◆ お客様お問い合わせ先
〒108-6017 東京都港区港南2-15-1
品川インターシティA棟
STマイクロエレクトロニクス(株)
APMグループ
TEL: 03-5783-8250 FAX: 03-5783-8216


プレスリリース提供:PRTIMES リンク

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