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低価格ブラック・ボックス・レコーダ向けの高速書込みメモリを発表

STマイクロエレクトロニクス 2011年07月19日 10時34分
From PR TIMES



実績のある不揮発性メモリ技術で超高速ページ書込みを実現し、
非常用データ・ストレージの設計を簡略化
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エレクトロニクス分野の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的
半導体メーカーで、電子機器向けEEPROMの世界最大のサプライヤである
STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、予期せぬ事象の発生時
に重要なデータを保存するための、独自の超高速記録機能を搭載した新しい
EEPROMを発表しました。同製品は、突然の電源障害発生時のシステム・データの
復旧、および機器障害や事故原因の特定に役立つブラック・ボックス・レコーダ
等に適しています。

新しいEEPROMであるM35B32を採用したシステムは、大量の重要情報(2Kbit)を
1ミリ秒以内に保存可能で、システム障害や事故の発生時に即座に対応すること
ができます。電源障害等の場合、電源電圧が使用不可能なレベルに低下する前に、
システム復旧に必要な情報をこの超高速データ・ストレージに保存することが
可能です。

M35B32の主要アプリケーションは、ゲーム機、バッテリ駆動の電子機器、電気・
水道・ガスのメータ、スマートグリッド機器、産業用システムおよび医療機器等
です。他の不揮発性メモリと比較した場合、同製品の書込み速度は、標準的な
32Kbit EEPROMの約40倍高速で、Flashメモリの書込み速度に匹敵します。また、
エネルギー消費量がFlashメモリの約10分の1であるため、突然システム・
ダウンした場合でも、書込み完了までメモリを動作させる電源電圧用バックアップ・
コンデンサの容量は10分の1で済みます。そのため、低コスト化とプリント基板面積
の小型化に繋がります。M35B32のEEPROMテクノロジーは、高速FRAM技術と比較した
場合にもコストと品質の面で優れています。

M35B32のメモリ容量(32Kbit)は、イベント記録用と通常のシステムEEPROMの
2個のセクタに分割されます。セクタの容量は、各種アプリケーションの要件に
合わせ、ユーザが設定可能です。256Bという大きなページサイズにより、1回の
ページ書込みサイクルで大量のデータを書き込むことができるため、イベント
記録セクタへのアクセス時に1ミリ秒以内でこの情報をプログラムすることが
可能です。これによりシステム性能が向上し、ソフトウェアのオーバヘッドが
減少します。M35B32へのアクセスは、標準SPIシリアル接続を介して行うため、
標準的なSPIシリアル接続に対応したメモリと直接置き換えることができます。

M35B32は現在量産中で、SO8N / TSSOP8 / FPN( 2 x 3mm、小型表面実装型)
パッケージで提供されます。単価は1,000個購入時に約0.65ドルです。大量
購入時の単価については、お問い合わせください。車載用に認定された製品は、
2012年初旬に発表予定で、ABS(アンチロック・ブレーキング・システム)等の
設計を簡略化します。

STマイクロエレクトロニクスについて
STマイクロエレクトロニクスは、多種多様な電子機器向けに革新的な半導体
ソリューションを提供する世界的な総合半導体メーカーです。STは、高度な
技術力と設計ノウハウ、そして幅広いIP(Intellectual Property)
ポートフォリオ、戦略的パートナーシップ、大規模な製造力を駆使することに
より、マルチメディア・コンバージェンスとパワー・アプリケーションにおいて
他社の追随を許さないリーダーとなることを目指しています。2010年の売上は
103.5億ドルでした。
さらに詳しい情報はSTのホームページをご覧ください。
ST日本法人: リンク
STグループ(英語): リンク

◆ お客様お問い合わせ先
〒108-6017 東京都港区港南2-15-1
品川インターシティA棟
STマイクロエレクトロニクス(株)
MMSグループ
TEL:03-5783-8240 FAX:03-5783-8216

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