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太陽電池・通信・民生アプリケーションの省電力設計を可能にする第6世代パワーMOSFETファミリを拡充

STマイクロエレクトロニクス 2011年06月09日 10時38分
From PR TIMES



定格電圧が増加した最新のSTripFET(TM) VI DeepGATEパワーMOSFETが、
DC-DCアプリケーションに優れたオン抵抗とスイッチング性能を提供
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エレクトロニクス分野の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的
な主要半導体メーカーで、パワー半導体の主要サプライヤであるSTマイクロ
エレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、第6世代のSTripFET(TM)技術を採用
した高効率パワー・トランジスタ・ファミリを拡充しました。これにより、
様々なアプリケーションにおいて、先進的な省電力性を実現するさらなる選択肢
を設計者に提供します。

STripFET VI DeepGATE技術を用いた最新のパワーMOSFETの耐圧は最大80Vで、
太陽電池(マイクロ・インバータ)、通信、ネットワークおよびサーバ用電源に
使用することができます。高い定格電圧が通信アプリケーション(48V)に
おける信頼性の高い動作を可能にするため、事業者は効率の改善により回線運用
コストの低減が可能になります。さらに、コンスーマ機器用電源の消費
エネルギーが減少し動作温度が低下するため、ユーザにおける快適性の向上と
機器の長寿命化につながります。

今回発表された製品は、STP260N6F6 / STH260N6F6-2(60V耐圧)、STP210N75F6
/ STH210N75F6-2(75V耐圧)およびSTL75N8LF6(80V耐圧)の5製品です。
これらの製品は、STの最新世代DeepGATE(TM)トレンチMOSFET構造を採用しており、
この種の製品としては業界で最も低いオン抵抗(ダイ面積当り)を実現して
います。そのため、小型の業界標準パッケージにこれらの低損失製品を実装する
ことが可能になり、顧客はシステムの大幅な効率向上と同時に、プリント基板
サイズの最小化と全体的な部品コスト低減を実現できます。

主な特徴
・ブレークダウン電圧:60V / 80V
・オン抵抗:0.0016Ω(STH260N6F6-2)
・定格電流:180A(STx260F6N6)
・100%アバランシェ評価済み

STP260N6F6およびSTP210N75F6は現在入手可能で、TO-220パッケージ(スルー
ホール型)にて提供されます。単価は1000個購入時に約3.20ドルです。また、
STH210N75F6-2およびSTH260N6F6-2は、H(2)PAK-2パッケージ(表面実装型)にて
提供されます。単価は1,000個購入時に約3.50ドルです。STL75N8LF6は、実装
面積の低減と共に電力処理能力を最適化したPowerFLATパッケージ(5 x 6mm)で
提供され、2011年第3四半期にサンプル出荷を予定しています。単価は1000個
購入時に約1.50ドルです。大量購入時の単価については、お問い合わせください。

詳細については、 リンク
をご覧ください。

STマイクロエレクトロニクスについて
STマイクロエレクトロニクスは、多種多様な電子機器向けに革新的な半導体
ソリューションを提供する世界的な総合半導体メーカーです。STは、高度な
技術力と設計ノウハウ、そして幅広いIP(Intellectual Property)
ポートフォリオ、戦略的パートナーシップ、大規模な製造力を駆使することに
より、マルチメディア・コンバージェンスとパワー・アプリケーションにおいて
他社の追随を許さないリーダーとなることを目指しています。2010年の売上は
103.5億ドルでした。
さらに詳しい情報はSTのホームページをご覧ください。
ST日本法人: リンク
STグループ(英語): リンク

◆ お客様お問い合わせ先
〒108-6017 東京都港区港南2-15-1
品川インターシティA棟
STマイクロエレクトロニクス(株)
APMグループ
TEL:03-5783-8250 FAX:03-5783-8216

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