放送・医療用画像機器の長寿命化を実現するクラス最高の技術を発表

新しいRFパワーMOSFETファミリは、
業界で最も堅牢性の高いシリコンと熱効率に優れたパッケージを組合せ、
信頼性と性能の優位性が向上
--------------------------------------------------------------------
エレクトロニクス分野における多種多様なアプリケーションに半導体を提供する
世界的半導体メーカーで、パワー半導体の主要サプライヤであるSTマイクロ
エレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、医療用スキャナやプラズマ
発生器等の高出力高周波数装置において、稼働率の改善と共に性能向上および
コスト低減を実現する最新世代の高周波数パワー・トランジスタを発表しました。

STのRFパワーMOSFETの新製品は、製造プロセスの向上により、競合製品と比較
して少なくとも20%以上高い200Vのピーク電圧に耐えることができます。
この堅牢性の向上は、パワー・トランジスタの動作時間の長寿命化に繋がり、
機器のダウンタイムと所有コストの低減に貢献します。また、この先進的
プロセスは、MOSFETの利得、効率および大出力特性を改善し、機器の性能向上と
設計の簡略化にも役立ちます。

さらに、これらの新製品は最新世代の封止セラミックおよびST Air Cavity
（STAC(R)）パッケージ技術の採用により、チップからの熱放散速度を高めて
信頼性を向上させています。これは、機器のサービス・コストの低減にも
貢献します。

SD4931およびSD4933は、150Wと300WのNチャネルRFパワーMOSFETで、最大250MHz
の直流50V 信号アプリケーションを対象としています。STの強化された垂直
シリコン・プロセスの優位性を持つこれらの製品は、ボルト締め実装用
フランジを備えた封止セラミック・パッケージで提供されます。

STAC4932BおよびSTAC4932Fは、ボルト締め型とフランジレス型を有するSTのSTAC
パッケージで提供され、レーザの駆動やMRI診断装置といった1000Wを超える定格
電力を持つ100Vパルス・アプリケーションを対象としています。これらの製品は、
ヒートシンクに直接ハンダ付けするためのサーマル・ベースを備えたSTAC
パッケージの高い熱・電気効率により、高周波数で大出力の信号を生成すると
共に、長期の製品寿命を通して優れた信頼性を維持します。

主な特徴
・ブレークダウン電圧（V(BR)DSS）：200V以上
・最大接合部動作温度：200℃
・全位相負荷不整合能力：20:1（SD4931/4933）
・出力（POUT）
　・SD4931：150W min / 利得14.8dB（175MHz時）
　・SD4933：300W min / 利得24dB（30MHz時）
　・STAC4932B/F：1000W min（1200W typ） / 利得26dB（123MHz時）

現在、セラミック・パッケージで提供される製品は量産中で、単価は1000個
購入時にSD4931が約43.65ドル、SD4933が約77.60ドルです。STACパッケージで
提供されるSTAC4932B（現在量産中）およびSTAC4932F（2011年6月量産開始予定）
の単価は約67.90ドルです。大量購入時の単価については、お問い合わせ
ください。

詳細については、
リンク をご覧ください。

STマイクロエレクトロニクスについて
STマイクロエレクトロニクスは、多種多様な電子機器向けに革新的な半導体
ソリューションを提供する世界的な総合半導体メーカーです。STは、高度な
技術力と設計ノウハウ、そして幅広いIP（Intellectual Property）ポート
フォリオ、戦略的パートナーシップ、大規模な製造力を駆使することにより、
マルチメディア・コンバージェンスとパワー・アプリケーションにおいて他社の
追随を許さないリーダーとなることを目指しています。
2010年の売上は103.5億ドルでした。
さらに詳しい情報はSTのホームページをご覧ください。
ST日本法人: リンク
STグループ（英語）: リンク

◆ お客様お問い合わせ先
〒108-6017 東京都港区港南2-15-1
品川インターシティA棟
STマイクロエレクトロニクス（株）
APMグループ
TEL：03-5783-8250　FAX：03-5783-8216