高性能なホットスポット対策により、太陽電池パネルの電力損失を改善

制御回路とパワー・エレクトロニクスを集積した新製品が、
バイパス・ダイオードのアップグレードと電力効率の大幅な向上を実現



パワー半導体の世界的リーダーであるSTマイクロエレクトロニクス
（NYSE：STM、以下ST）は、個々の太陽電池パネルからパワー・グリッド
（電力網）へさらに多く送電することを可能にする革新的な製品 SPV1001を発表
しました。同製品は、電力効率を高め、バイパス・ダイオードと同形状の
シンプルなパッケージを使用することができる高性能デバイスです。また、
同製品の使用により、太陽電池パネルはさらなる発電量の確保が可能になるため、
高い投資回収率が見込めます。

SPV1001は、低損失パワー・スイッチと高精度コントローラを内蔵しています。
ホットスポット効果を防止するために使用するバイパス・ダイオードと同製品を
置き換えることにより、通常は各ダイオードで消費される電力を低減します。
また、この集積型パワー・スイッチは、ダイオードを使用した場合と比べて、
太陽電池パネルの発電時において極めて低いリーク電流値を実現しています。
非常に高効率な電源回路とロジック制御回路を1チップに集積できるSTのBCD6
プロセスが、この先進性の実現に貢献しています。

STのインダストリアル&パワー・コンバージョン製品事業部 ジェネラル・
マネージャであるPietro Mennitiは、次の様にコメントしています。
「SPV1001は、現在の太陽電池業界における重要な課題を解決します。より
大きな出力電流を生成する高効率な太陽電池セルの登場に合わせて、それを
サポートするパワー・エレクトロニクスにも改善が求められています。SPV1001
に採用されているBCDプロセス等の先端技術とSTの電力変換に関する専門性は、
お客様が太陽光発電を新たな費用対効果レベルへ進化させるための強固な基盤を
提供します。」

SPV1001は、太陽電池パネルのジャンクション・ボックス内に使用されている
バイパス・ダイオードとピン互換性のあるパッケージ・オプションに加え、
超薄型で電力損失を最小化しパネル内に直接実装できるMLPDパッケージでも提供
されます。これにより、電子回路の設計と組立てが簡略化されると共に、
システムの信頼性も大幅に向上します。

SPV1001の主な特徴
・BCD6プロセスおよびEHD5 パワーMOSFETプロセス
　　・バイパス・モードでの動作時の導通損失を最小化
　　・バイパス待機時の損失を最小化する低リーク電流
　　・サージ電流および落雷電流に対する高い堅牢性
　　・ジャンクション・ボックスの設計を最適化する低い動作温度
　　・パワー部と制御回路の集積
・既存のバイパス・ダイオードとピン / サイズ互換性のあるパッケージ
（TO-220 / D2PAK）
・パネル内に直接実装するための超薄型Power MLPDパッケージも選択可

SPV1001は現在量産中で、業界標準のTO-220およびD2PAK、超薄型MLPDの3種類の
パッケージで提供されます。単価は、1000個購入時に約3.00ドルです
（パッケージ・タイプによって異なります）。大量購入時の単価は、
お問い合わせ下さい。

また、本プレスリリースは以下のURLでもご覧いただけます。
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STマイクロエレクトロニクスについて
STマイクロエレクトロニクスは、多種多様な電子機器向けに革新的な半導体
ソリューションを提供する世界的な総合半導体メーカーです。STは、高度な
技術力と設計ノウハウ、そして幅広いIP（Intellectual Property）
ポートフォリオ、戦略的パートナーシップ、大規模な製造力を駆使することに
より、マルチメディア・コンバージェンスとパワー・アプリケーションにおいて
他社の追随を許さないリーダーとなることを目指しています。2009年の売上は
85.1億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのホームページをご覧ください。
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