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スーパー・ジャンクション技術を採用しダイ面積当り業界最小のオン抵抗を実現する超高効率MOSFETを発表

STマイクロエレクトロニクス 2009年12月16日 09時24分
From PR TIMES

最新の650V MDmesh(TM) Vデバイスは、
TO-247パッケージに搭載され、38 mΩのオン抵抗で効率と電力密度を改善



パワーMOSFETの世界的リーダーであるSTマイクロエレクトロニクス(NYSE: STM、
以下ST)は、STの超高効率パワーMOSFET 、MDmesh(TM) Vの新製品を発表しました。
同製品は、業界標準サイズのTO-247パッケージに搭載され、650VのMOSFETとしては
業界最小のオン抵抗を実現しています。

STのパワーMOSFET事業部 マーケティング・ディレクターであるMaurizio Giudice
は、次の様にコメントしています。「MDmesh Vファミリは、ST独自の第5世代
スーパー・ジャンクション技術と実績のあるPowerMESH(TM)水平レイアウトを
組み合わせており、競合するデバイスよりも優れた性能を実現しています。
ダイ面積当り業界最小のオン抵抗(RDS(ON))が、あらゆるパッケージにおいて
効率の改善を提供します。設計者はこの利点を活用することで性能を向上させる
と同時に、従来のMOSFETの複数並列ネットワークをはるかに少数のMDmesh Vに
置き換えることによって、全体サイズを縮小できます。」

TO-247パッケージに搭載された新製品 STW77N65M5のオン抵抗は38 mΩです。また、
STは、Max247パッケージでオン抵抗が22 mΩのSTY112N65M5を2010年に発表する
予定です。これらの製品は2009年初旬にスーパー・ジャンクションMOSFET技術
であるMDmesh Vを発表した際に、STのロードマップに紹介されていました。現在、
STW77N65M5は量産中で、最大電流は69 Aです。

STのMDmesh V技術は、従来のMOSFETおよび競合するスーパー・ジャンクション製品
と比較して、単位面積当り最小のオン抵抗を実現します。この優れた性能による
利点には、効率・電力密度の向上および使用時温度の低下があり、PCやサーバ等の
電源、太陽光発電用コンバータ、溶接用電源、UPS機器といった導通損失が効率に
大きな影響をおよぼすアプリケーションでの信頼性向上に繋がります。

また、これらの製品は、超低オン抵抗という特徴だけでなく、低スイッチング
損失も実現しているため、広範なアプリケーションおよび使用状況において、
総合的に効率を向上させることができます。MDmesh V技術を採用したパワーMOSFET
は、TO-220、TO-220FP、I2PAK、D2PAK、DPAKおよびIPAKといった一般的な業界標準
パッケージに搭載されます。

現在、STW77N65M5は量産中で、TO-247パッケージで提供されています。単価は、
1,000個購入時に約10ドルです。

詳細はwww.st.com/mdmeshv をご覧ください。

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