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高性能・超低レイテンシーの”HyperX 800MHz SO-DIMM”を発表

オーバークロッキングを必要とせずノート用PCメモリ・システムを より高性能化できる革新的なSO-DIMM

メモリ製品で世界をリードする独立系メモリ・メーカーKingston Technologyは9月10日、同社初となる高性能・超低レイテンシーのノート用メモリ「HyperX 800MHz SO-DIMM(CL4)」を発表いたしました。同製品は、4GB と 2GB の2種類のメモリ・キットとして提供されます。

同製品は、超低レイテンシー・プロファイル(DDR2-800 CL4-4-4-12 @1.8VとDDR2-667 CL3-4-4-10 @1.8V)が予めプログラムされており、付属のSPD(Serial Presence Detect)機能により、パソコンに合わせた設定を自動的に検出することで、広範囲なノートPCに性能面の利点をもたらします。標準搭載のノートメモリと置き換えることで、システムのBIOS設定を調整することなく可能な最高速度まで高速化することを可能とします。また、当社の超低レイテンシー800MHz SO-DIMMキットはモバイル・ユーザーに既存のシステム上でより高い性能を提供するために一連の新しいノート用メモリ・シリーズとして今後も継続してリリースを行う予定です。当社のHyperXメモリは永久保証および無料テクニカル・サービス付きでサポートされています。

当社アジア太平洋地域DRAMメモリ製品マネージャを務めるアン・バイ(Ann Bai)は「高速の800MHzプラットフォーム、特にインテルの Centrino 2 チップセットを標準とするノートブック・システムが増加しており、当社のエンジニアはそれらをサポートする高性能・超低レイテンシーで細かな設定をすることなくすぐに使える HyperX SO-DIMMメモリを設計しました。この新しい SO-DIMM は多くの既存のメモリ・システムの性能を高める能力を持つ柔軟性に富むグレードアップ・オプションを提供し、高速で超低レイテンシーのCL4/CL3 SO-DIMM で 800MHz や 667MHz のプラットフォームの性能を補強することができます。」と語っています。


Kingston HyperX 超低レイテンシー DDR2 SO-DIMM の主な仕様

KHX6400S2ULK2/4G
4GB 800MHz 超低レイテンシー DDR2 (800MHz CL4-4-4-12 @ 1.8V および 667MHz CL3-4-4-10 @ 1.8V) SO-DIMM、 kit of 2
約29,800円

KHX6400S2ULK2/2G
2GB 800MHz 超低レイテンシー DDR2 (800MHz CL4-4-4-12 @ 1.8V および 667MHz CL3-4-4-10 @ 1.8V) SO-DIMM、 kit of 2
約16,800円

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