3ビット、4ビットセルのNANDフラッシュは2012年までに市場の大半を占める

2008年は、NANDフラッシュ業界が3ビットセル、ついで4ビットセルへの移行を開始する記念碑的な年となるだろう。3ビット、4ビットのセル技術は、コスト削減やより大きな記憶容量をSLCやMLC NANDと同じプロセス世代で実現する。

NANDフラッシュ技術のスケーリング化が遅れているために、年平均40％のコスト削減を維持する必要があるだろう。しかしながら、3ビットセルおよび4ビットセルの技術に、問題がないわけではない。マルチビット技術は性能と耐久性の減少によって深刻な問題を抱えている。

「3ビット、4ビットセルへの移行では、SLCからMLC NANDへの移行と同じ程度のコスト削減を実現できない。その結果、チップやシステムレベルでの構造的な変化には、MLC NANDと同レベルのグロスマージン(粗利益)を保つ必要がある」と米国調査会社ウェブフィートリサーチ社の副社長で技術調査のGregory Wong氏は語る。

3ビットセルと4ビットセル技術の普及は、特殊なアプリケーションや利用モデルに大きく依存している。それでも多くの市場では、2012年までには3ビットセルへの移行が予測される。3ビットセルNANDは、ビットに対して52.8％を占め、続いてMLC NANDが25.4％、4ビットセルNANDが16.6％、SLC NANDが4.4％である。

ウェブフィートリサーチ社の調査レポート「3ビット/セル、4ビット/セルのNAND型フラッシュメモリ市場調査:マルチビット技術、アプリケーション、関連企業 - The Next Killer Technologies?: 3-bit and 4-bit per cell NAND Flash Memories」は、マルチビットNAND技術のコスト、性能、アプリケーションについて詳細に論じている。


[調査レポート]
3ビット/セル、4ビット/セルのNAND型フラッシュメモリ市場調査:マルチビット技術、アプリケーション、関連企業
The Next Killer Technologies?: 3-bit and 4-bit per cell NAND Flash Memories
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