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モリテックス 赤外透過検査システム、「IRise® 700 IR Vision System」を発表

シリコンデバイスの透過検査に最適

 

 マシンビジョン関連機器と画像機器、バイオ関連機器メーカーの株式会社モリテックス(本社:東京都渋谷区、代表取締役社長:森田茂幸、証券コード:7714)は、この度、赤外透過検査システム「IRise® 700 IR Vision System」を開発いたしました。
 赤外透過検査システム「IRise® 700 IR Vision System」は、シリコンなどが赤外光を透過する特性を活かした小型・低価格のシリコンデバイス用検査システムで、ウエハーの直接接合・WLCSP※・フリップチップ検査や、ダイシング後のチッピング・SAWフィルター検査など、シリコンデバイスの検査用途に幅広く用いることが出来ます。
 モリテックスでは、この赤外透過検査システム「IRise® 700 IR Vision System」を4月11日から13日まで、東京ビッグサイトで開催される「第17回ファインテック・ジャパン」に参考出展し、5月より販売活動を開始いたします。その後、7月25日から27日まで、東京ビックサイトで開催される『第18回マイクロマシン展/MEMS展』にも出展を行い、積極的な販売活動を展開致します。
 
 「産業の米」とも呼ばれ、あらゆる電化製品に幅広く用いられている半導体は、コンピューター、携帯電話、家電製品、自動車など、現代社会の隅々にまで浸透しています。半導体は多くの場合、製品の中枢に用いられ、また年々集積化に伴う小型・高性能化が進展していることから、品質安定化のニーズは近年非常に高まっております。
 モリテックスでは、半導体に用いられるシリコンが赤外光を透過する特性に目を付け、これまで培ってきた光学技術を活用した安価かつ汎用性の高い赤外透過検査システム「IRise® 700 IR Vision System」を開発いたしました。

 赤外透過検査システム「IRise® 700 IR Vision System」は、赤外光を使ってシリコンデバイスなどを透過して検査するシステムで、ウェハー接合ボイド※検査・WLCSP・フリップチップ検査や、シリコンウエハの切削工程(ダイシング)後のチッピング(カケ)検査、MEMS※デバイス検査、3次元実装検査、SAW※フィルター実装検査用途などを想定して開発いたしました。
 研究開発部門や品質管理部門での使用を想定したコンパクトなシステムでありながら、ステージと、高精細画像張合わせ技術を用いることで、最大200mmウエハの一括評価が可能になりました。また、低倍域から高倍域まで(0.75倍~45倍)をカバーする電動ズームレンズを採用したことにより、多様な検査ニーズに応えることが可能です。
 今回モリテックスが開発した赤外透過検査システム「IRise® 700 IR Vision System」を使用することで、品質管理部門では、不良品発生プロセスの解明・改善に大きく寄与することができ、また研究開発部門では、次世代の製造ライン開発に向けた研究開発を大きく進展させる事が出来るものと考えています。
 このシステムをベースに自動検査システムや貼り合せ後のズレ量検査など、お客様のニーズに合わせたシステム提案にも対応可能です。

※ WLCSP:Wafer Level Chip Size Packageの略でウエハー状態のままICを封止する最新のパッケージング技術(携帯電話・デジタルカメラなどで広く使われている)
※ ボイド:接合部にできる気泡
※ MEMS :Micro Electro Mechanical Systemsの略で微小電気機械素子(車載センサーなどで使用されている)
※ SAW:Surface Acoustic Waveの略で表面弾性波(携帯電話などで使用されている)

■ 赤外透過検査システム「IRise® 700 IR Vision System」の主な特長
  ・ 赤外光を使用することにより、シリコンデバイスの透過検査が可能
  ・ 照明・光学技術と各種画像前処理によりハイコントラスト画像を実現
  ・ 赤外同軸照明、赤外斜光照明、赤外透過照明の各種照明方式の選択可能
  ・ 高精細画像張合わせ技術で最大200mmウエハ一括評価
  ・ 張合わせ処理をした一枚の高精細画像に対してデジタルズームを行うことが可能
  ・ シリコンデバイスの接合不良、ボイドなどの検査に最適
  ・ ウエハー接合部ボイド検査、WLCSP・フリップチップ検査、ダイシング後のチッピング検査、
   MEMSデバイス検査、3次元実装検査用などの各種検査が可能
  ・ 赤外顕微鏡ではできなかったマクロ(0.75倍)画像認識を高精細で実現
  ・ 10倍 20倍 50倍以外の中間倍率をズーム(0.75倍~45倍)で認識が実現
  ・ 欠陥座標表示及び任意座標にステージ移動が可能
  ・ 研究開発部門・品質検査部門などでの使用を想定した小型機
  ・ 豊富なソフトオプション対応
■ 対応材料(接合・内部観察)
  Si-Si(シリコン) *1
  Si-Glass(ガラス) *1
  Si-Au(金) *2
  Si-GaAs(ガリウム砒素) *1
  Si-GaP(ガリウムりん) *1
  Si-GaAsP(ガリウム砒素りん) *1
  Si-LiNbO3(ニオブ酸リチウム) *1
  Si-LiTaO3(タンタル酸リチウム) *1
  Si-Au-PZT(チタン酸ジルコン酸鉛) *2
  Si-Au-PLZT(チタン酸ジルコン酸ランタン鉛) *2 など
    *1 両側から観察可能  *2 Si側から観察可能

■ 技術動向
 主にMEMS業界で発展してきた、常温・直接接合*1・ディープエッチング*2・貫通配線*3などの技術は、近年車載用センサー(加速度・圧力センサー)などのMEMS製造プロセスとして、着実に実績を伸ばしてきています。
 これらの製造プロセスは、デバイスコストの80%を占める現行の後工程(ダイボンディング・ワイヤーボンディング・樹脂封止など)をウエハーレベルで一括処理するもので、最近では、MEMSの領域を超え半導体・CCD・発光素子・光通信などの各分野で採用されてきています。また、小型・高性能を追求しつつコストを下げる技術として今後半導体プロセスの主流になると考えられており、各社量産を前提とした研究・開発が行われていますので、数年後にはこれらの技術を用いた小型・高性能デジタル機器製品の部品として市場に多く出回るものと考えられます。
 この新たな製造プロセスの導入により、新たにウエハーレベルで接合・電気検査などの検査工程を設ける必要が出てきており、このニーズに合わせ、赤外透過検査システムを開発したものです。

*1 常温・直接接合 : Si Au GaAsなどの材料の表面を平らにして活性化させる事により、接着剤を使わずに常温で2つのウエハーを直接接合する技術
*2 ディープエッチング : プラズマ中でSiなどのデバイスを深堀りする腐食技術で、半導体プロセスに比べ深くウエハー全面を一括で掘る(貫通)事ができる。
*3 貫通配線 : Siなどのデバイスのエッチングで空けた穴にCuやAuSnなどの金属を充填して表裏の配線を行う

■ 製品仕様
●対応材料: Si-Si Si-Glass Si-Au Si-GaAs Si-LiNbO3 Si-LiTaO3 Si-PZT など
●光学系: PC制御 電動ズーム
●倍率
低倍: 0.75倍 ~   4.5倍
高倍: 6.96倍 ~  45.72倍
●視野
低倍: 8.53×6.4mm ~ 1.42×1.06mm
高倍: 0.91×0.68mm ~ 0.13mm×0.10mm
●照明系
高倍・低倍: 近赤外同軸 近赤外斜光 近赤外透過  *各組合せ選択
●ステージ系: 自動ステージ(任意制御)  *オプション対応:手動ステージ
●ストローク
Xステージ: 200mm
Yステージ: 200mm
Zステージ: 100mm
●制御: PC一括制御:倍率可変/低・高倍率レンズ切り替え/照明切り替え/X・Y・Zステージ 
ソフト:画像前処理/画像貼合わせ(高精細画像をスキャンし合成する:MAX 200mm)
*その他オプション対応可  
●寸法(W×D×H): 595 ×595 ×658

■ 本体価格
 オープンプライス

■製品に関するお問い合せ、資料請求は・・・
    株式会社モリテックス 事業推進部
    〒150-0001 東京都渋谷区神宮前3-1-14
    TEL.03-3401-9756 FAX.03-3401-9757
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