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東芝、四日市工場においてNAND型フラッシュメモリ新製造棟の建設を開始

2006/08/04 19:03
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 東芝は8月4日、半導体メモリの拠点である四日市工場において、300ミリウェハーに対応したNAND型フラッシュメモリの新製造棟である第4製造棟の建設を開始したと発表した。

 東芝では、2005年夏から第3製造棟を稼働させ生産能力の増強を図っている。しかし、シリコンオーディオプレーヤーや携帯電話、各種メモリーカードなど、フラッシュメモリ市場が急成長していることを受け、さらなる需要拡大に対応するために、サンディスクコーポレーションとの合意に基づき第4製造棟の建設に着手した。

 新たに建設される第4製造棟では、地震による揺れを3分の1程度まで抑えられる免震構造や、落雷などによる瞬間的な電圧低下に対応する超伝導電力貯蔵装置(SMES)を採用することで、自然災害による製造装置への影響を抑制する対策を行っている。  なお、投資金額は2006年度から2007年度の2年間で約3000億円を見込んでおり、建設は東芝が担当し、製造設備はサンディスクコーポレーションとの行動出資会社であるFlash Allianceで導入する。

 第4製造棟では、2007年第4四半期からNAND型フラッシュメモリを月産2500枚規模で量産を開始し、2008年第4四半期には月産6万7500枚まで生産能力を拡大する。また、製造プロセスは最先端の56ナノミリから開始し、順次次世代のプロセスを導入していく計画だ。東芝では生産能力を継続的に拡大していくことで、世界シェアトップクラスの競争力をさらに強化していくとしている。

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