松下電器産業とルネサステクノロジは8月3日、45nmノード対応のシステムLSI製造プロセス共同開発活動において、液浸ArFスキャナーによるフルインテグレーション作業を始めたと発表した。両社は、歪みシリコンによる高移動度トランジスタや、比誘電率2.4という低誘電率（ELK）多層配線モジュールなどの開発にも取り組んでいる。
両社は、1998年にプロセス技術の共同開発に着手し、2005年10月より第5次の活動として、45nmシステムLSIプロセスの開発を行ってきた。
今回導入した液浸ArFスキャナーについて、両社は「ロジックLSI用としては、業界で初めて開口率（NA）が1を超えた」としている。フルインテグレーション作業では、すべてのウエハプロセスを一貫して処理するため、開発活動が「本格的な生産技術開発の段階に入った」（両社）ことになる。
両社では、2007年度のなかばに開発を完了させ、2008年度の量産開始を目指す。
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