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セイコーエプソンなど、新手法で既存と同等のシリコン膜を形成

2006/04/06 18:10
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 セイコーエプソンとJSRは4月6日、液体材料による「スピンコート塗布」と呼ばれる手法でシリコン(Si)膜を形成し、液晶に使われる薄膜トランジスタ(TFT)素子を作成したと発表した。両社は、同じ液体材料を使い、インクジェット方式によってパターンを形成できることも確認した。

 この液体材料は、水素とSiからなる「高次シラン化合物」と呼ばれる物質を有機溶剤に溶解したもの。不活性雰囲気中で基板上に塗布して焼成すると、Si膜を形成できる。スピンコート塗布は、回転する基板上に液体材料を滴下することで薄膜を作る手法。

 両社は、この材料と手法を組み合わせてSi膜を形成したうえで、従来の低温ポリSi TFT製造プロセスを適用し、TFTを試作した。トランジスタの動作速度の指標となる移動度を計測したところ、試作TFTは108平方cm/Vsで、従来の「化学気相成長法(CVD)」によるSi膜を使ったTFTと同程度となった。

 また両社は、印刷によるTFT形成の可能性を実証するため、インクジェット法でこの液体材料を基板上に吐出し、Si膜パターン形成を試みた。パターンの形成に成功したことから、両社は「従来のフォトリソグラフィによるパターン形成処理が一部不要になる」としている。なお、このSi膜パターンから試作したTFTの移動度は、6.5平方cm/Vsだった。

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